IC41C16256
IC41LV16256
8
整体的 电路 解决方案 公司
dr018-0c 04/23/2004
交流 特性
(1,2,3,4,5,6)
(推荐 运行 情况 除非 否则 指出.)
-25 -35 -50 -60
标识 参数 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 单位
t
RC
随机的 读 或者 写 循环 时间 45 — 60 — 90 — 110 — ns
t
RAC
进入 时间 从
RAS
(6, 7)
— 25 — 35 — 50 — 60 ns
t
CAC
进入 时间 从
CAS
(6, 8, 15)
—8 —10 —14—15ns
t
AA
进入 时间 从 column-地址
(6)
— 12 — 18 — 25 — 30 ns
t
RAS
RAS
脉冲波 宽度 25 10K 35 10K 50 10K 60 10K ns
t
RP
RAS
precharge 时间 15 — 20 — 30 — 40 — ns
t
CAS
CAS
脉冲波 宽度
(26)
4 10K 6 10K 8 10K 10 10K ns
t
CP
CAS
precharge 时间
(9, 25)
4— 5— 8—10—ns
t
CSH
CAS
支撑 时间
(21)
25 — 35 — 50 — 60 — ns
t
RCD
RAS
至
CAS
延迟 时间
(10, 20)
10 17 11 28 19 36 20 45 ns
t
ASR
行-地址 建制 时间 0 — 0 — 0 — 0 — ns
t
RAH
行-地址 支撑 时间 6 — 6 — 8 — 10 — ns
t
ASC
column-地址 建制 时间
(20)
0— 0— 0— 0—ns
t
CAH
column-地址 支撑 时间
(20)
5— 6— 8—10—ns
t
AR
column-地址 支撑 时间 19 — 30 — 40 — 40 — ns
(关联 至
RAS
)
t
RAD
RAS
至 column-地址 延迟 时间
(11)
8201020 14251530ns
t
RAL
column-地址 至
RAS
含铅的 时间 12 — 18 — 25 — 30 — ns
t
RPC
RAS
至
CAS
precharge 时间 0 — 0 — 0 — 0 — ns
t
RSH
RAS
支撑 时间
(27)
7— 8— 14—15—ns
t
CLZ
CAS
至 输出 在 低-z
(15, 29)
3— 3— 3— 3—ns
t
CRP
CAS
至
RAS
precharge 时间
(21)
5— 5— 5— 5—ns
t
OD
输出 使不能运转 时间
(19, 28, 29)
2 12 3 12 3 12 3 12 ns
t
OE
输出 使能 时间
(15, 16)
08 010 015—15ns
t
OEHC
OE
高 支撑 时间 从
CAS
高 10 — 10 — 10 — 10 — ns
t
OEP
OE
高 脉冲波 宽度 10 — 10 — 10 — 10 — ns
t
OES
OE
低 至
CAS
高 建制 时间 5 — 5 — 5 — 5 — ns
t
RCS
读 command 建制 时间
(17, 20)
0— 0— 0— 0—ns
t
RRH
读 command 支撑 时间 0 — 0 — 0 — 0 — ns
(关联 至
RAS
)
(12)
t
RCH
读 command 支撑 时间 0 — 0 — 0 — 0 — ns
(关联 至
CAS
)
(12, 17, 21)
t
WCH
写 command 支撑 时间
(17, 27)
5— 5— 8—10—ns
t
WCR
写 command 支撑 时间 19 — 30 — 40 — 50 — ns
(关联 至
RAS
)
(17)
t
WP
写 command 脉冲波 宽度
(17)
5— 5— 8—10—ns
t
WPZ
我们
脉冲波 widths 至 使不能运转 输出 10 — 10 — 10 — 10 — ns
t
RWL
写 command 至
RAS
含铅的 时间
(17)
7— 8— 14—15—ns
t
CWL
写 command 至
CAS
含铅的 时间
(17, 21)
5— 8— 14—15—ns
t
WCS
写 command 建制 时间
(14, 17, 20)
0— 0— 0— 0—ns
t
DHR
数据-在 支撑 时间 (关联 至
RAS
) 19 — 30 — 40 — 40 — ns