NID5001N
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3
典型 效能 曲线
100
°
C
0
28
2.5
16
31.51
V
DS
, drain−to−source 电压 (伏特)
I
d,
流 电流 (放大器)
12
4
0
0.5
图示 1. on−region 特性
1
28
2
16
12
4
4
0
图示 2. 转移 特性
V
GS
, gate−to−source 电压 (伏特)
0.05
46
0.1
0
图示 3. on−resistance vs. gate−to−source
电压
V
GS
, gate−to−source 电压 (伏特)
R
ds(在),
drain−to−source 阻抗 (
)
I
d,
流 电流 (放大器)
610
0.02
图示 4. on−resistance vs. 流 电流 和
门 电压
I
d,
流 电流 (放大器)
−50 0−25 25
1.4
1.2
1
0.8
0.6
50 100
图示 5. on−resistance 变化 和
温度
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
T
J
= 25
°
C
0.2
35
T
C
= −55
°
C
I
D
= 5 一个
T
J
= 25
°
C
0.035
0.015
75
T
J
= 25
°
C
I
D
= 5 一个
V
GS
= 10 v
R
ds(在),
DRAIN−TO−SOURCE
阻抗 (normalized)
2
25
°
C
R
ds(在),
drain−to−source 阻抗 (
)
1.6
V
GS
= 10 v
2.6 v
210
100
4525
图示 6. drain−to−source 泄漏 电流
vs. 电压
V
DS
, drain−to−source 电压 (伏特)
15
V
GS
= 0 v
I
DSS
, 泄漏 (一个)
T
J
= 150
°
C
T
J
= 100
°
C
2.8 v
3.0 v
3.2 v
0.03
V
GS
= 5 v
1000
10000
100000
3.5 4
4 v
V
DS
≥
10 v
0.15
789
0.025
10 20
3.8 v
8
3.4 v
8
3
798
23 4 5
4030 35
24
20
3.6 v
V
GS
= 10 v 至 4.2 v
20
24
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