NID5001NT4_集成电路资料查询网

NID5001N
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典型 效能 曲线
0.9
0.02
0
V
SD
, source−to−drain 电压 (伏特)
图示 7. 二极管 向前 电压 vs. 电流
I
S
, 源 电流 (放大器)
V
GS
= 0 v
T
J
= 25
°
C
0.14
0.70.50.3
0.1
0.08
0.12
图示 8. 最大 评估 向前 片面的
safe 运行 范围
0.1 10 100
V
DS
, drain−to−source 电压 (伏特)
I
D
, 流 电流 (放大器)
V
GS
= 5 v
单独的 脉冲波
T
C
= 25
°
C
1.0
1.0
100
0.01
10
直流
100

s
1 ms
10 ms
R
ds(在)
限制
热的 限制
包装 限制
0.1
0.80.60.4
0.06
0.04
为基础 在之上 一个 t
J
= 100
°
c, 稳步的 状态.

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NID5001N http://onsemi.com 4 典型效能曲线 0.9 0.02 0 V SD , source−to−drain 电压 (伏特) 图示 7. 二极管向前电压 vs. 电流 I S , 源电流 (放大器) V GS = 0 v T J = 25 ° C 0.14 0.70.50.3 0.1 0.08 0.12 图示 8. 最大评估向前片面的 safe 运行范围 0.1 10 100 V DS , drain−to−source 电压 (伏特) I D , 流电流 (放大器) V GS = 5 v 单独的脉冲波 T C = 25 ° C 1.0 1.0 100 0.01 10 直流 100  s 1 ms 10 ms R ds(在) 限制热的限制包装限制 0.1 0.80.60.4 0.06 0.04 为基础在之上一个 t J = 100 ° c, 稳步的状态.

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