IDP30E120_集成电路资料查询网

2001-12-12
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IDP30E120
IDB30E120
初步的 数据
热的 特性
参数 标识 值 单位
最小值 典型值 最大值
特性
热的 阻抗, 接合面 - 情况
R
thJC
- - 0.9 k/w
热的 阻抗, 接合面 - 包围的, 含铅的
R
thJA
- - 62
smd 版本, 设备 在 pcb:
@ 最小值 footprint
@ 6 cm
2
冷却 范围
1)
R
thJA
-
-
-
35
62
-
电的 特性
, 在
T
j
= 25 °c, 除非 否则 指定
参数 标识 值 单位
最小值 典型值 最大值
静态的 特性
反转 泄漏 电流
V
R
=1200v,
T
j
=25°C
V
R
=1200v,
T
j
=150°C
I
R
-
-
-
-
100
2500
µA
向前 电压 漏出
I
F
=30a,
T
j
=25°C
I
F
=30a,
T
j
=150°C
V
F
-
-
1.65
1.7
2.15
-
V
1
设备 在 40mm*40mm*1.5mm 环氧的 pcb fr4 和 6cm² (一个 layer, 70 µm 厚) 铜 范围 为 流
连接. pcb 是 vertical 没有 blown 空气.

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2001-12-12 页 2 IDP30E120 IDB30E120 初步的数据热的特性参数标识值单位最小值典型值最大值特性热的阻抗, 接合面 - 情况 R thJC - - 0.9 k/w 热的阻抗, 接合面 - 包围的, 含铅的 R thJA - - 62 smd 版本, 设备在 pcb: @ 最小值 footprint @ 6 cm 2 冷却范围 1) R thJA - - - 35 62 - 电的特性 , 在 T j = 25 °c, 除非否则指定参数标识值单位最小值典型值最大值静态的特性反转泄漏电流 V R =1200v, T j =25°C V R =1200v, T j =150°C I R - - - - 100 2500 µA 向前电压漏出 I F =30a, T j =25°C I F =30a, T j =150°C V F - - 1.65 1.7 2.15 - V 1 设备在 40mm40mm1.5mm 环氧的 pcb fr4 和 6cm² (一个 layer, 70 µm 厚) 铜范围为流连接. pcb 是 vertical 没有 blown 空气.

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