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资料编号:399671
 
资料名称:IDP30E120
 
文件大小: 211.01K
   
说明
 
介绍:
Fast Switching EmCon Diode
 
 


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2001-12-12
页 5
IDP30E120
IDB30E120
初步的 数据
5 典型值 反转 恢复 时间
t
rr
=
f
(
d
i
F
/d
t
)
参数:
V
R
= 800v,
T
j
= 125°c
200 300 400 500 600 700 800
一个/µs
1000
d
i
F
/d
t
200
300
400
500
600
700
800
900
ns
1100
t
rr
60A
30A
15A
6 典型值 反转 恢复 承担
Q
rr
=
f
(
d
i
F
/d
t
)
参数:
V
R
= 800v,
T
j
= 125 °c
200 300 400 500 600 700 800
一个/µs
1000
d
i
F
/d
t
2500
3000
3500
4000
4500
5000
5500
nC
6500
Q
rr
15A
30A
60A
7 典型值 反转 恢复 电流
I
rr
=
f
(
d
i
F
/d
t
)
参数:
V
R
= 800v,
T
j
= 125°c
200 300 400 500 600 700 800
一个/µs
1000
d
i
F
/d
t
5
10
15
20
25
一个
35
I
rr
60A
30A
15A
8 典型值 反转 恢复 softness 因素
s = f(800)
参数:
V
R
= 800v,
T
j
= 125°c
200 300 400 500 600 700 800
一个/µs
1000
d
i
F
/d
t
4
6
8
10
12
14
18
S
60A
30A
15A
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