igp01n120h2, igb01n120h2
IGD01N120H2
电源 半导体
2 rev. 2, 三月-04
热的 阻抗
参数 标识 情况 最大值 值
单位
典型的
igbt 热的 阻抗,
接合面 – 情况
R
thJC
4.5
热的 阻抗,
接合面 – 包围的
R
thJA
p-至-220-3-1 62
smd 版本, 设备 在 pcb
1)
R
thJA
p-至-263 (d
2
pak) 40
k/w
电的 典型的,
在
T
j
= 25
°
c, 除非 否则 指定
值
参数 标识 情况
最小值 典型值 最大值
单位
静态的 典型的
集电级-发射级 损坏 电压
V
(br)ces
V
GE
=0v,
I
C
=300
µ
一个
1200 - -
集电级-发射级 饱和 电压
V
ce(sat)
V
GE
= 15v,
I
C
=1A
T
j
=25
°
C
T
j
=150
°
C
V
GE
= 10v,
I
C
=1a,
T
j
=25
°
C
-
-
-
2.2
2.5
2.4
2.8
-
-
门-发射级 门槛 电压
V
ge(th)
I
C
=30
µ
一个,
V
CE
=
V
GE
2.1 3 3.9
V
零 门 电压 集电级 电流
I
CES
V
CE
=1200v,
V
GE
=0V
T
j
=25
°
C
T
j
=150
°
C
-
-
-
-
20
80
µ
一个
门-发射级 泄漏 电流
I
GES
V
CE
=0v,
V
GE
=20V
- - 40 na
跨导
g
fs
V
CE
=20v,
I
C
=1A
- 0.75 - s
动态 典型的
输入 电容
C
iss
- 91.6 -
输出 电容
C
oss
- 9.8 -
反转 转移 电容
C
rss
V
CE
=25v,
V
GE
=0v,
f
=1MHz
- 3.4 -
pF
门 承担
Q
门
V
CC
=960v,
I
C
=1A
V
GE
=15V
- 8.6 - nc
内部的 发射级 电感
量过的 5mm (0.197 在.) 从 情况
L
E
p-至-220-3-1
p-至-247-3-1
-
7
13
-
nH
1)
设备 在 50mm*50mm*1.5mm 环氧的 pcb fr4 和 6cm
2
(一个 layer, 70
µ
m 厚) 铜 范围 为
集电级 连接. pcb 是 vertical 没有 blown 空气.