igp01n120h2, igb01n120h2
IGD01N120H2
电源 半导体
3 rev. 2, 三月-04
切换 典型的, inductive 加载,
在
T
j
=25
°
C
值
参数 标识 情况
最小值 典型值 最大值
单位
igbt 典型的
转变-在 延迟 时间
t
d(在)
- 13 -
上升 时间
t
r
- 6.3 -
转变-止 延迟 时间
t
d(止)
- 370 -
下降 时间
t
f
- 28 -
ns
转变-在 活力
E
在
- 0.08 -
转变-止 活力
E
止
- 0.06 -
总的 切换 活力
E
ts
T
j
=25
°
c,
V
CC
=800v,
I
C
=1a,
V
GE
=15v/0v,
R
G
=241
Ω
,
L
σ
2)
=180nh,
C
σ
2)
=40pF
活力 losses 包含
“tail” 和 二极管
3)
反转 恢复.
- 0.14 -
mJ
切换 典型的, inductive 加载,
在
T
j
=150
°
C
值
参数 标识 情况
最小值 典型值 最大值
单位
igbt 典型的
转变-在 延迟 时间
t
d(在)
- 12 -
上升 时间
t
r
- 8.9 -
转变-止 延迟 时间
t
d(止)
- 450 -
下降 时间
t
f
- 43 -
ns
转变-在 活力
E
在
- 0.11 -
转变-止 活力
E
止
- 0.09 -
总的 切换 活力
E
ts
T
j
=150
°
C
V
CC
=800v,
I
C
=1a,
V
GE
=15v/0v,
R
G
=241
Ω
,
L
σ
2)
=180nh,
C
σ
2)
=40pF
活力 losses 包含
“tail” 和 二极管
3)
反转 恢复.
- 0.2 -
mJ
切换 活力 zvt, inductive 加载
值
参数 标识 情况
最小值 典型值 最大值
单位
igbt 典型的
转变-止 活力
E
止
V
CC
=800v,
I
C
=1a,
V
GE
=15v/0v,
R
G
=241
Ω
,
C
r
2)
=1nF
T
j
=25
°
C
T
j
=150
°
C
-
-
0.02
0.044
-
-
mJ
2
)
泄漏 电感 l
σ
和 偏离 capacity c
σ
预定的 至 动态 测试 电路 在 图示 e
3)
commutation 二极管 从 设备 ikp01n120h2