IGW40T120
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trenchstop 序列
电源 半导体
3 初步的 / rev. 1 jul-02
动态 典型的
输入 电容
C
iss
- 2500 -
输出 电容
C
oss
- 130 -
反转 转移 电容
C
rss
V
CE
=25v,
V
GE
=0v,
f
=1MHz
- 110 -
pF
门 承担
Q
门
V
CC
=960v,
I
C
=40A
V
GE
=15V
- 203 - nC
内部的 发射级 电感
量过的 5mm (0.197 在.) 从 情况
L
E
TO-247一个C - - 13 nH
短的 电路 集电级 电流
1)
I
c(sc)
V
GE
=15v,
t
SC
≤
10
µ
s
V
CC
= 600v,
T
j
= 25
°
C
- 210 - 一个
切换 典型的, inductive 加载,
在
T
j
=25
°
C
值
参数 标识 情况
最小值 典型值 最大值
单位
igbt 典型的
转变-在 延迟 时间
t
d(在)
-48-
上升 时间
t
r
-34-
转变-止 延迟 时间
t
d(止)
- 480 -
下降 时间
t
f
-70-
ns
转变-在 活力
E
在
-3.3-
转变-止 活力
E
止
-3.2-
总的 切换 活力
E
ts
T
j
=25
°
c,
V
CC
=600v,
I
C
=40a,
V
GE
=0/15v,
R
G
=15
Ω
,
L
σ
2)
=180nh,
C
σ
2)
=39pF
活力 losses 包含
“tail” 和 二极管
反转 恢复.
-6.5-
mJ
切换 典型的, inductive 加载,
在
T
j
=150
°
C
值
参数 标识 情况
最小值 典型值 最大值
单位
igbt 典型的
转变-在 延迟 时间
t
d(在)
-52-
上升 时间
t
r
-40-
转变-止 延迟 时间
t
d(止)
- 580 -
下降 时间
t
f
- 120 -
ns
转变-在 活力
E
在
-5.0-
转变-止 活力
E
止
-5.4-
总的 切换 活力
E
ts
T
j
=150
°
C
V
CC
=600v,
I
C
=40a,
V
GE
=0/15v,
R
G
= 15
Ω
,
L
σ
2)
=180nh,
C
σ
2)
=39pF
活力 losses 包含
“tail” 和 二极管
反转 恢复.
- 10.4 -
mJ
1)
允许 号码 的 短的 电路: <1000; 时间 在 短的 电路: >1s.
2)
泄漏 电感
L
σ
一个nd偏离 capacity
C
σ
预定的 至 动态 测试 电路 在 图示 e.
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