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IGW40T120
^
trenchstop 序列
电源 半导体
9 初步的 / rev. 1   jul-02
V
CE
,
集电级
-
发射级 电压
0V
200V
400V
600V
0A
20A
40A
60A
1.5us1us0.5us
0us
I
C
V
CE
I
C
,
集电级 电流
0V
200V
400V
600V
0A
20A
40A
60A
1.5us1us0.5us
0us
I
C
V
CE
t
,
时间
t
,
时间
图示 21. 典型 转变 在 行为
(v
GE
=0/15v,
R
G
=15
Ω
,
T
j
= 150
°
c,
动态 测试 电路 在 图示 e)
图示 22. 典型 转变 止 行为
(v
GE
=15/0v,
R
G
=15
Ω
,
T
j
= 150
°
c,
动态 测试 电路 在 图示 e)
Z
thJC
,
瞬时 热的 阻抗
10µs 100µs 1ms 10ms 100ms
10
-3
k/w
10
-2
k/w
10
-1
k/w
单独的 脉冲波
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D
=0.5
t
P
,
脉冲波 宽度
图示 23. igbt 瞬时 热的 阻抗
(
d = t
p
/
T
)
R
,(k/w)
τ
,
(s)
=
0.159 1.10*10
-1
0.133 1.56*10
-2
0.120 1.35*10
-3
0.038 1.51*10
-4
C
1
=
τ
1
/
R
1
R
1
R
2
C
2
=
τ
2
/
R
2

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IGW40T120 ^ trenchstop 序列电源半导体 9 初步的 / rev. 1 jul-02 V CE , 集电级 - 发射级电压 0V 200V 400V 600V 0A 20A 40A 60A 1.5us1us0.5us 0us I C V CE I C , 集电级电流 0V 200V 400V 600V 0A 20A 40A 60A 1.5us1us0.5us 0us I C V CE t , 时间 t , 时间图示 21. 典型转变在行为 (v GE =0/15v, R G =15 Ω , T j = 150 ° c, 动态测试电路在图示 e) 图示 22. 典型转变止行为 (v GE =15/0v, R G =15 Ω , T j = 150 ° c, 动态测试电路在图示 e) Z thJC , 瞬时热的阻抗 10µs 100µs 1ms 10ms 100ms 10 -3 k/w 10 -2 k/w 10 -1 k/w 单独的脉冲波 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 D =0.5 t P , 脉冲波宽度图示 23. igbt 瞬时热的阻抗 ( d = t p / T ) R ,(k/w) τ , (s) = 0.159 1.1010 -1 0.133 1.5610 -2 0.120 1.3510 -3 0.038 1.5110 -4 C 1 = τ 1 / R 1 R 1 R 2 C 2 = τ 2 / R 2

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