ikp20n60t, ikb20n60t
trenchstop 序列
IKW20N60T
电源 半导体
3 rev. 2.2 dec-04
动态 典型的
输入 电容
C
iss
-
1100
-
输出 电容
C
oss
-
71
-
反转 转移 电容
C
rss
V
CE
=25v,
V
GE
=0v,
f
=1MHz
-
32
-
pF
门 承担
Q
门
V
CC
=480v,
I
C
=20A
V
GE
=15V
- 120 - nc
内部的 发射级 电感
量过的 5mm (0.197 在.) 从 情况
L
E
至-220-3-1
至-247-3-1
至-263-3-2
- 7 - nh
短的 电路 集电级 电流
1)
I
c(sc)
V
GE
=15v,
t
SC
≤
5
µ
s
V
CC
= 400v,
T
j
≤
150
°
C
- 183.3 - 一个
切换 典型的, inductive 加载,
在
T
j
=25
°
C
值
参数 标识 情况
最小值 典型值 最大值
单位
igbt 典型的
转变-在 延迟 时间
t
d(在)
- 18 -
上升 时间
t
r
- 14 -
转变-止 延迟 时间
t
d(止)
- 199 -
下降 时间
t
f
- 42 -
ns
转变-在 活力
E
在
- 0.31 -
转变-止 活力
E
止
- 0.46 -
总的 切换 活力
E
ts
T
j
=25
°
c,
V
CC
=400v,
I
C
=20a,
V
GE
=0/15v,
R
G
=12
Ω
,
L
σ
2)
=131nh,
C
σ
2)
=31pF
活力 losses 包含
“tail” 和 二极管
反转 恢复.
- 0.77 -
mJ
反对-并行的 二极管 典型的
二极管 反转 恢复 时间
t
rr
- 41 - ns
二极管 反转 恢复 承担
Q
rr
- 0.31 - µc
二极管 顶峰 反转 恢复 电流
I
rrm
- 13.3 - 一个
二极管 顶峰 比率 的 下降 的 反转
恢复 电流 在
t
b
di
rr
/dt
T
j
=25
°
c,
V
R
=400v,
I
F
=20a,
di
F
/dt
=880a/
µ
s
- 711 -
一个/
µ
s
1)
允许 号码 的 短的 电路: <1000; 时间 在 短的 电路: >1s.
2)
泄漏 电感
L
σ
一个nd偏离 capacity
C
σ
预定的 至 动态 测试 电路 在 图示 e.
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