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资料编号:402431
 
资料名称:IKW20N60T
 
文件大小: 435.11K
   
说明
 
介绍:
IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft,fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
ikp20n60t, ikb20n60t
trenchstop 序列
IKW20N60T
电源 半导体
6 rev. 2.2 dec-04
I
C
,
集电级 电流
0V 1V 2V 3V
0A
10A
20A
30A
40A
50A
15V
7V
9V
11V
13V
V
GE
=20V
I
C
,
集电级 电流
0V 1V 2V 3V 4V
0A
10A
20A
30A
40A
50A
15V
13V
7V
9V
11V
V
GE
=20V
V
CE
,
集电级
-
发射级 电压
V
CE
,
集电级
-
发射级 电压
图示 5. 典型 输出 典型的
(
T
j
= 25°c)
图示 6. 典型 输出 典型的
(
T
j
= 175°c)
I
C
,
集电级 电流
0V 2V 4V 6V 8V
0A
5A
10A
15A
20A
25A
30A
35A
25°C
T
J
=175°C
V
ce(sat),
集电级
-
emitt 饱和 电压
0°C 50°C 100°C 150°C
0.0v
0.5v
1.0v
1.5v
2.0v
2.5v
I
C
=20A
I
C
=40A
I
C
=10A
V
GE
,
门-发射级
电压
T
J
,
接合面 温度
图示 7. 典型 转移 典型的
(v
CE
=10v)
图示 8. 典型 集电级-发射级
饱和 电压 作 一个 函数 的
接合面 温度
(
V
GE
= 15v)
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