IKW40T120
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trenchstop 序列
电源 半导体
10 初步的 / rev. 1 jul-02
V
CE
,
集电级
-
发射级 电压
0V
200V
400V
600V
0A
20A
40A
60A
1.5us1us0.5us
0us
I
C
V
CE
I
C
,
集电级 电流
0V
200V
400V
600V
0A
20A
40A
60A
1.5us1us0.5us
0us
I
C
V
CE
t
,
时间
t
,
时间
图示 21. 典型 转变 在 行为
(v
GE
=0/15v,
R
G
=15
Ω
,
T
j
= 150
°
c,
动态 测试 电路 在 图示 e)
图示 22. 典型 转变 止 行为
(v
GE
=15/0v,
R
G
=15
Ω
,
T
j
= 150
°
c,
动态 测试 电路 在 图示 e)
Z
thJC
,
瞬时 热的 阻抗
10µs 100µs 1ms 10ms 100ms
10
-3
k/w
10
-2
k/w
10
-1
k/w
单独的 脉冲波
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D
=0.5
Z
thJC
,
瞬时 热的 阻抗
10µs 100µs 1ms 10ms 100ms
10
-3
k/w
10
-2
k/w
10
-1
k/w
单独的 脉冲波
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D
=0.5
t
P
,
脉冲波 宽度
t
P
,
脉冲波 宽度
图示 23. igbt 瞬时 热的 阻抗
(
d = t
p
/
T
)
图示 24. 二极管 瞬时 热的
阻抗 作 一个 函数 的 脉冲波
宽度
(
D
=
t
P
/
T
)
R
,(k/w)
τ
,
(s)
=
0.159 1.10*10
-1
0.133 1.56*10
-2
0.120 1.35*10
-3
0.038 1.51*10
-4
C
1
=
τ
1
/
R
1
R
1
R
2
C
2
=
τ
2
/
R
2
R
,(k/w)
τ
,
(s)
=
0.228 1.01*10
-1
0.257 1.15*10
-2
0.238 1.30*10
-3
0.087 1.53*10
-4
C
1
=
τ
1
/
R
1
R
1
R
2
C
2
=
τ
2
/
R
2