5–1
特性
• 非常 高 电流 转移 比率, 500% 最小值
• 分开 测试 电压,5300 vac
RMS
• 高 分开 阻抗, 10
11
Ω
典型
• 低 连接 电容
• 标准 塑料 插件 包装
• underwriters lab 文件 #e52744
• vde 0884 有 和 选项 1
最大 比率 (各自 频道)
发射级
顶峰 反转 电压 ........................................3 v
持续的 向前 电流 .........................60 毫安
电源 消耗 在 25
°
c.........................100 mw
减额 成直线地 从 25
°
C....................1.33 mw/
°
C
探测器
集电级-发射级 损坏 电压 .............30 v
集电级 (加载) 电流..............................125 毫安
电源 消耗 在 25
°
c 包围的 ...........150 mw
减额 成直线地 从 25
°
C......................2.0 mw/
°
C
包装
分开 测试 电压 (在 发射级
和 探测器 谈及 至 标准 climate
23
°
c/50%rh, din 50014)
t=1 秒...........................................5300 vac
RMS
Creepage ............................................... 7 mm 最小值
Clearance............................................... 7 mm 最小值
comparative 追踪 index 每
din iec 112/vde303, 部分 1 ........................
≥
175
分开 阻抗
V
IO
=500v, t
一个
=25
°
c ......................... R
IO
=10
12
Ω
V
IO
=500v, t
一个
=100
°
c ....................... R
IO
=10
11
Ω
总的 消耗 在 25
°
c 包围的
ild32 .....................................................400 mw
ilq32 .....................................................500 mw
减额 成直线地 从 25
°
C
ild32 ...............................................5.33 mw/
°
C
ilq32 ...............................................6.67 mw/
°
C
存储 温度...................–55
°
c 至 +150
°
C
运行 温度 ...............–55
°
c 至 +100
°
C
含铅的 焊接 时间 在 260
°
C .................... 10 秒.
描述
这 ild32/ilq32 是 optically 结合 isolators
和 一个 镓 砷化物 infrared led 和 一个 硅
photodarlington 传感器. 切换 能 是 达到
当 维持 一个 高 程度 的 分开
在 驱动 和 加载 电路. 这些 optocou-
plers 能 是 使用 至 替代 reed 和 mercury
接转 和 有利因素 的 长 生命, 高 速
切换 和 除去 的 有磁性的 fields.
这 ild32 有 二 分开的 途径 在 一个 插件 包装-
age, 和 这 ilq32 有 四 途径. 这些
设备 能 是 使用 至 替代 4n32s 或者 4n33s 在
产品 calling 为 一些 单独的 频道 opto-
couplers 在 一个 板.
V
DE
电的 特性
(t
一个
=25
°
c)
标识 最小值 典型值 最大值 单位 情况
发射级
向前 电压 V
F
1.25 1.5 V I
F
=10 毫安
反转 电流 I
R
0.1 100
µ
AV
R
=3.0 v
电容 C
O
25 pF V
R
=0 v
探测器
损坏 电压
集电级-发射级
BV
CEO
30 V I
C
=100
µ
一个,
I
F
=0
损坏 电压
发射级-集电级
BV
ECO
510 VI
E
=100
µ
一个
集电级-发射级
泄漏 电流
I
CEO
1.0 100 nA V
CE
=10v,
I
F
=0
包装
电流 转移 比率 CTR 500 % I
F
=10 毫安
集电级 发射级
饱和 电压
V
CEsat
1.0 V I
C
=2 毫安,
I
F
=8 毫安
分开 电容 C
ISOL
0.5 pF
转变-在 时间 t
在
15
µ
sV
CC
=10 v
转变-止 时间 t
止
30
µ
sI
F
=5 毫安,
R
L
=100
Ω
维度 在 英寸 (mm)
.268 (6.81)
.255 (6.48)
.790 (20.07)
.779 (19.77 )
.045 (1.14)
.030 (.76)
4
°
典型值
.100 (2.54)
典型值
10
°
典型值
3
°
–9
°
.305 典型值
(7.75) 典型值
.022 (.56)
.018 (.46)
.012 (.30)
.008 (.20)
.135 (3.43
)
.115 (2.92)
管脚 一个 i.d.
.150 (3.81)
.130 (3.30)
.040 (1.02)
.030 (.76 )
.268 (6.81)
.255 (6.48)
34
65
.390 (9.91)
.379 (9.63)
.045 (1.14)
.030 (.76)
4
°
典型值
.100 (2.54)
典型值
10
°
典型值
3
°
–9
°
.305 典型值
(7.75) 典型值
.022 (.56)
.018 (.46)
.012 (.30)
.008 (.20)
.135 (3.43)
.115 (2.92)
12
87
管脚 一个 i.d.
.150 (3.81)
.130 (3.30)
.040 (1.02)
.030 (.76 )
发射级
集电级
集电级
发射级
发射级
集电级
集电级
发射级
Anode
Cathode
Cathode
Anode
Anode
Cathode
Cathode
Anode
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
发射级
集电级
集电级
发射级
Anode
Cathode
Cathode
Anode
1
2
3
4
双
频道
四方形
频道
双 频道
ILD32
四方形 频道
ILQ32
photodarlington optocoupler
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