5–1
特性
• 内部的 rbe 为 高 稳固
• 电流 转移 比率 是 测试
在 2.0 毫安 和 0.7 毫安 输入
il/ild/ilq66 序列:
- 1, 100% 最小值 在
I
F
=2
毫安, v
CE
=10 v
- 2, 300% 最小值 在
I
F
=2
毫安, v
CE
=10 v
- 3, 400% 最小值 在
I
F
=0.7
毫安, v
CE
=10 v
- 4, 500% 最小值 在
I
F
=2
毫安, v
CE
=5 v
• 四 有 ctr categories 每 包装
类型
• bv
CEO
>60 v
• 标准 插件 包装
• underwriters lab 文件 #e52744
• vde 0884 有 和 选项 1
描述
il66, ild66, 和 ilq66 是 optically 结合 isola-
tors employing 镓 砷化物 infrared emitters
和 硅 photodarlington detectors. 切换
能 是 accomplished 当 维持 一个 高
程度 的 分开 在 驱动 和 加载 cir-
cuits, 和 非 串扰 在 途径.
最大 比率
发射级
(各自 频道)
顶峰 反转 电压........................................ 6 v
持续的 向前 电流......................... 60 毫安
电源 消耗 在 25
°
C ......................... 100 mw
减额 成直线地 从 25
°
C ................... 1.33 mw/
°
C
探测器
(各自 频道)
电源 消耗 在 25
°
c 包围的........... 150 mw
减额 成直线地 从 25
°
C ..................... 2.0 mw/
°
C
包装
分开 测试 电压
(t=1 秒.)........................................5300 vac
RMS
总的 包装 电源 消耗 在 25
°
C
IL66.......................................................... 250 mw
ILD66 ....................................................... 400 mw
ILQ66 ....................................................... 500 mw
减额 成直线地 从 25
°
C
IL66...................................................... 3.3 mw/
°
C
ILD66 ................................................. 5.33 mw/
°
C
ILQ66 ................................................. 6.67 mw/
°
C
Creepage.................................................7 最小值 mm
Clearance ................................................7 最小值 mm
comparative 追踪 index..............................175
分开 阻抗
V
IO
=500 v, t
一个
=25
°
C................................
≥
10
12
Ω
V
IO
=500 v, t
一个
=100
°
C..............................
≥
10
11
Ω
存储 温度 ................... –55
°
c 至 +125
°
C
运行 温度................ –55
°
c 至 +100
°
C
含铅的 焊接 时间 在 260
°
C ....................10 秒.
V
DE
维度 在 英寸 (mm)
.010 (.25)
.014 (.35)
.110 (2.79)
.150 (3.81)
.130 (3.30)
.150 (3.81)
.020 (.051) 最小值
.300 (7.62)
典型值
.031 (0.80)
.035 (0.90)
.039
(1.00)
最小值
.018 (0.45)
.022 (0.55)
.335 (8.50)
.343 (8.70)
6
5
4
12
3
18
°
典型值
.300 (7.62)
.347 (8.82)
4
°
典型值
.255 (6.48)
.268 (6.81)
34
65
.379 (9.63)
.390 (9.91)
.030 (.76)
.045 (1.14)
4
°
典型值
.100 (2.54) 典型值
.100 (2.54) 典型值
10
°
典型值
3
°
–9
°
.305
T
yp.
(7.75)
T
yp.
.018 (.46)
.022 (.56)
.008 (.20)
.012 (.30)
.115 (2.92)
.135 (3.43)
1
2
87
.130 (3.30)
.150 (3.81)
.030 (.76 )
.040 (1.02)
1
2
3
6
5
4
Anode
Cathode
NC
根基
集电级
发射级
Anode
Cathode
Cathode
Anode
发射级
集电级
集电级
发射级
1
2
3
4
8
7
6
5
Anode
Cathode
Cathode
Anode
发射级
Collecto
r
集电级
发射级
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
发射级
Collecto
r
集电级
发射级
Anode
Cathode
Cathode
Anode
.248 (6.30)
.256 (6.50)
.255 (6.48)
.268 (6.81)
.779 (19.77 )
.790 (20.07)
管脚
一个
i.d.
.130 (3.30)
.150 (3.81)
.030 (.76 )
.040 (1.02)
.030 (.76)
.045 (1.14)
4
°
典型值
.100 (2.54) 典型值
.018 (.46)
.022 (.56)
10
°
典型值
3
°
–9
°
.305 典型值
(7.75) 典型值
.008 (.20)
.012 (.30)
.115 (2.92
)
.135 (3.43)
管脚 一个 i.d.
管脚 一个 i.d.
单独的 频道
il66 序列
双 频道
ild66 序列
四方形 频道
ilq 66 序列
photodarlington optocoupler
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