5–2
il/ild/ilq66
电的 特性
(t
一个
=25c)
标识 最小值 典型值 最大值.. 单位 情况
gaas 发射级
向前 电压 1.25 1.5 V I
F
=20 毫安
反转 电流 0.1 10
µ
AV
R
=6.0 v
电容 25 pF V
R
=0 v
Photodarlington
损坏 电压
集电级-发射级
集电级-根基 (il66)
BV
CEO
BV
CBO
60
60
V
V
I
C
=1 毫安, i
F
=0
I
C
=10
µ
一个
泄漏 电流,
集电级-发射级
I
CEO
1.0 100 nA V
CE
=50 v, i
F
=0
电容,
集电级-发射级 3.4 pF V
CE
=10 v
结合 特性
电流 转移 比率
il/ild/ilq66-1
il/ild/ilq66-2
il/ild/ilq66-3
il/ild/ilq66-4
CTR
100
300
400
500
400
500
500
750
%
%
%
%
I
F
=2 毫安,v
CE
=10 v
I
F
=2 毫安,v
CE
=10 v
I
F
=0.7 毫安, v
CE
=10 v
I
F
=2 毫安, v
CE
=5 v
饱和 电压,
集电级-发射级
V
CEsat
0.9 1.0 V I
C
=10 毫安, i
F
=10 毫安
上升 时间 -1, -2, -4 t
R
200
µ
sV
CC
=10 v
下降 时间 -1, -2, -4 t
F
200
µ
sI
F
=2 毫安, r
C
=100
Ω
上升 时间 -3 t
R
200
µ
sI
F
=0.7 毫安
下降 时间 -3 t
F
200
µ
sV
CC
=10 v, r
L
=100
Ω
图示 1. 向前 电压 相比 向前 电流
图示 2. normalized 非-saturated 和 saturated
ctrce 相比 led curren
100101.1
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
如果 - 向前 电流 - 毫安
vf - 向前 电压 - v
ta = -55
°
C
ta = 25
°
C
ta = 100
°
C
100
101.1
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
vce = 1 v
vce = 5 v
如果 - led 电流 - 毫安
nctrce - normalized ctrce
normalized 至:
ta = 25
°
C
vce = 5 v
如果 = 2 毫安
图示 3. normalized 非-saturated 和 saturated
ctrce 相比 led 电流
图示 4. 非-saturated 和 saturated 集电级
发射级 电流 相比 led 电流
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
.1 1 10 100 1000
vce = 5 v
vce = 1 v
如果 - led 电流 - 毫安
nctrce - normalized ctrce
ta = 25
°
C
vce = 5 v
如果 = 10 m
一个
normalized 至:
.1 1 10 100
.001
.01
.1
1
10
100
1000
10000
vce = 5 v
vce = 1 v
如果 - led 电流 - 毫安
ice - 集电级-发射级
电流 - 毫安
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