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文档 号码 83641
rev. 1.4, 26-oct-04
il755/ ild755
vishay 半导体
输出
Coupler
电的 特性
T
amb
= 25 °c, 除非 否则 指定
最小 和 最大 值 是 测试 需要ments. 典型 值 是 characteristics 的 这 设备 和 是 这 结果 的 engineering
evaluation. 典型 值 是 为 信息仅有的 和 是 不 部分 的 这 测试 (所需的)东西.
输入
输出
参数 测试 情况 Part 标识 Value 单位
集电级-发射级 损坏 电压 BV
CEO
60 V
集电级-根基 损坏 电压 BV
CBO
60 V
电源 消耗 il755-1 P
diss
200 mW
il755-2 P
diss
200 mW
ild755-1 P
diss
150 mW
ild755-2 P
diss
150 mW
减额 成直线地 从 25 °C il755-1 2.6 mw/°c
il755-2 2.6 mw/°c
ild755-1 2.0 mw/°c
ild755-2 2.0 mw/°c
参数 测试 情况 Part 标识 Value 单位
分开 测试 电压 (pk) t = 1.0 秒. V
ISO
7500/5300 VAC
PK
/v
RMS
总的 电源 消耗 (led 加 探测器) il755-1 P
tot
250 mW
il755-2 P
tot
250 mW
ild755-1 P
tot
400 mW
ild755-2 P
tot
400 mW
减额 成直线地 从 25 °C il755-1 3.0 mw/°c
il755-2 3.0 mw/°c
ild755-1 3.0 mw/°c
ild755-2 3.0 mw/°c
Creepage
≥
7mm
Clearance
≥
7mm
存储 温度 T
stg
- 55 至 + 150 °C
运行 温度 T
amb
- 55 至 + 100 °C
含铅的 焊接 时间 在 260 °C 10 秒.
参数 测试 情况 标识 最小值 Typ. 最大值 单位
向前 电压 I
F
= ± 10 毫安 V
F
1.2 1.5 V
参数 测试 情况 标识 最小值 Typ. 最大值 单位
集电级-发射级 损坏 电压 I
C
= 1.0 毫安 BV
CEO
60 75 V
集电级-根基 损坏 电压 I
C
= 10
µ
ABV
CBO
60 90 V
集电级-发射级 泄漏 电流 V
CE
= 10 v I
CEO
10 100 nA
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