5–1
特性
• 电流 转移 比率 在 i
F
=10 毫安
ild/q1, 20% 最小值
ild/q2, 100% 最小值
ild/q5, 50% 最小值
• 高 集电级-发射级 电压
ild/q1: bv
CEO
=50 v
ild/q2, ild/q5: bv
CEO
=70 v
• 地方-效应 稳固的 用 transparent ion
shield (trios) 分开 测试 电压, 5300
VAC
RMS
• underwriters lab 文件 #e52744
• vde 0884 有 和 选项 1
最大 比率
(各自 频道)
发射级
反转 电压 ................................................6 v
向前 电流 ...........................................60 毫安
surge 电流................................................. 2.5 一个
电源 消耗.......................................100 mw
减额 成直线地 从 25
°
C.....................1.3 mw/
°
C
探测器
集电级-发射级 反转 电压
ild/q1 ...........................................................50 v
ild/q2, ild/q5...............................................70 v
集电级 电流 .......................................... 50 毫安
集电级 电流 (t<1 ms)...........................400 毫安
电源 消耗.......................................200 mw
减额 成直线地 从 25
°
C......................2.6 mw/
°
C
包装
分开 测试 电压 (在
发射级 和 探测器 涉及 至
标准 climate 23
°
c/50%rh,
din 50014) .................................... 5300 vac
RMS
Creepage ............................................... 最小值 7 mm
Clearance............................................... 最小值 7 mm
分开 阻抗
V
IO
=500 v, t
一个
=25
°
C ......................... R
IO
=10
12
Ω
V
IO
=500 v, t
一个
=100
°
C ....................... R
IO
=10
11
Ω
包装 电源 消耗 ......................250 mw
减额 成直线地 从 25
°
C.....................3.3 mw/
°
C
存储 温度................... –40
°
c 至 +150
°
C
运行 温度 ................–40
°
c 至 +100
°
C
接合面 温度....................................100
°
C
焊接 温度
(2 mm 从 情况 bottom) ..........................260
°
C
V
DE
描述
这 ild/q1/2/5 是 optically 结合 分开的 pairs employing gaas infrared
leds 和 硅 npn phototransistor. 信号 信息, 包含 一个 直流
水平的, 能 是 transmitted 用 这 驱动 当 维持 一个 高 程度 的
电的 分开 在 输入 和 输出. 这 ild/q1/2/5 是 特别
设计 为 驱动 中等-速 逻辑 和 能 是 使用 至 eliminate trou-
blesome 地面 循环 和 噪音 问题. 也 这些 couplers 能 是
使用
至 替代 接转 和 transformers 在 许多 数字的 接口 applica-
tions 此类 作 crt 调制. 这 ild1/2/5 有 二 分开的 途径 在 一个
单独的 插件 包装 和 这 ilq1/2/5 有 四 分开的 途径 每 包装-
age.
看 appnote 45, “how 至 使用 optocoupler normalized 曲线.”
维度 在 英寸 (mm)
.268 (6.81)
.255 (6.48)
.790 (20.07)
.779 (19.77 )
.045 (1.14)
.030 (.76)
.100 (2.54) 典型值
3
°
–9
°
.305 典型值
(7.75) 典型值
.022 (.56)
.018 (.46)
.012 (.30)
.008 (.20)
.135 (3.43
)
.115 (2.92)
管脚 一个 i.d.
管脚 一个 i.d.
.150 (3.81)
.130 (3.30)
.040 (1.02)
.030 (.76 )
.268 (6.81)
.255 (6.48)
34
65
.390 (9.91)
.379 (9.63)
.045 (1.14)
.030 (.76)
4
°
典型值
4
°
典型值
.100 (2.54) 典型值
10
°
典型值
10
°
典型值
3
°
–9
°
.305 典型值
(7.75) 典型值
.022 (.56)
.018 (.46)
.012 (.30)
.008 (.20)
.135 (3.43)
.115 (2.92)
12
87
.150 (3.81)
.130 (3.30)
.040 (1.02)
.030 (.76 )
1
2
3
4
8
7
6
5
发射级
集电级
集电级
发射级
Anode
Cathode
Cathode
Anode
16
15
14
13
12
11
10
9
1
2
3
4
5
6
7
8
发射级
集电级
集电级
发射级
发射级
集电级
集电级
发射级
Anode
Cathode
Cathode
Anode
Anode
Cathode
Cathode
Anode
四方形 频道
双 频道
双 频道
ild1/2/5
四方形 频道
ilq1/2/5
PHOTOTRANSISTOR
OPTOCOUPLER