绝对 最大 比率
(注释 1, 2)
如果 军队/太空 指定 设备 是 必需的,
请 联系 这 国家的 半导体 销售 办公室/
分发 为 有效性 和 规格.
V
在
−0.3 至 6.5v
V
输出
,v
EN
, powergood(应用
仅有的 至 微观的 smd)
−0.3v 至 (v
在
+0.3v),
和 6V 最大值
接合面 温度 150˚C
存储 温度 −65˚C 至 +150˚C
含铅的 温度, 垫子 温度 235˚C
电源 消耗 (便条 3)
sot23-5
微观的 SMD
364mW
355mW
静电释放 比率 (便条 4)
人 身体 模型 2kV
机器 模型
sot23-5 (便条 13) 150V
微观的 SMD 200V
运行 比率
(注释 1, 2)
V
在
(便条 15) 2.5v 至 6V
V
输出
,v
EN
0toV
在
接合面 温度 −40˚C 至 +125˚C
接合面-至-包围的 热的
阻抗 (
θ
JA
)
sot23-5
微观的 SMD
220
o
c/w
255
o
c/w
最大 电源 消耗 (便条 5)
sot23-5
微观的 SMD
250mW
244mW
电的 特性
除非 否则 指定: V
EN
= 1.8v, V
在
=V
输出
+ 0.5v, C
在
= 1 µf, I
输出
= 1ma, C
输出
= 1 µf. 典型 值 和 限制
appearing 在 标准 typeface 是 为 T
J
= 25˚c. 限制 appearing 在
黑体字 类型
应用 在 这 全部 接合面 温度
范围 为 运作, −40˚C 至 +125˚c. (便条 6) (便条 7)
标识 参数 情况 典型值
限制
单位
最小值 最大值
∆
V
输出
输出 电压
容忍 −20˚C
%
T
J
%
125˚c, sot23-5
−40˚C
%
T
J
%
125˚c, sot23-5
−2
−3
−3.5
2
3
3.5
%of
V
输出(nom)
−40˚C
%
T
J
%
125˚c, 微观的 SMD
-3 3
线条 规章制度 错误
V
在
=V
输出 (nom)
+ 0.5v 至 6.0v
−0.15
−0.2
0.15
0.2
%/v
加载 规章制度 错误
(便条 8)
I
输出
= 1 毫安 至 150 毫安 0.005
0.007
%/毫安
PSRR 电源 供应 拒绝 比率
V
在
=V
输出(nom)
+ 1v,
f = 1 khz,
I
输出
=50ma(
图示 3
)
65
dB
V
在
=V
输出(nom)
+ 1v,
f = 10 khz,
I
输出
=50ma(
图示 3
)
45
I
Q
安静的 电流 V
EN
= 1.4v, I
输出
= 0 毫安 85 120
µAV
EN
= 1.4v, I
输出
= 0 至 150 毫安 140
200
V
EN
= 0.4v 0.003
1.0
落后 电压 (便条 9) I
输出
=1mA 1
5
mV
I
输出
= 150 毫安 80 115
150
I
SC
短的 电路 电流 限制 (便条 10) 600 毫安
e
n
输出 噪音 电压 BW = 10 Hz 至 100 khz,
C
输出
= 1µF
220
µVrms
C
输出
输出 电容 电容 (便条 11)
120
µF
等效串联电阻 (便条 11)
5 500
m
Ω
TSD
热的 关闭 温度 160 ˚C
热的 关闭 Hysteresis 20 ˚C
使能 控制 特性 (便条 12)
I
EN
最大 输入 电流 在 EN V
EN
= 0 和 V
在
= 6.0v
0.1
µA
LP3988
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