imp38c/hc/42/3/4/5
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!
S
瞬时 保护
好的 高-频率 布局 practices 应当 是 followed. 避免
长 打印-电路 查出 和 组件 leads. locate 振荡器
和 补偿 组件 near 这 ic. 避免 电容的 和
inductive 连接 的 这 切换 波形 在 这
高-阻抗 输入 的 这 错误 放大器, 振荡器, 和
电流-sense 放大器. v
REF
和 v
CC
稳固 将 是 aided 用
使用 高-频率 解耦 电容.
下面电压 lockout
一些 不同的 门槛 是 有.
下面-电压 lockout (uvl) 效能 有 被 改进.
当 这 电源 供应 电压 是 在下 这 startup 电压,
内部的 电路系统 puts 这 输出 在 一个 低 阻抗 状态 和
sets 这 输出 至 零. 这 输出 将 下沉 向上 至 20ma 在 这个
控制 状态 和 仍然是 在下 1.3v, 好 在下 这 转变-在
门槛 电压 的 这 外部 场效应晶体管.
和 这 imp38c/hc4x 输出 平台 设计, 泄漏 电流
从 这 外部 电源 mosfets 将 不 强迫 这 pwm 输出
至 上升 和 转变 这 外部 场效应晶体管 在.
甚至 当 v
DD
drops 至 零 伏特, 这 输出 管脚 将 不 上升
在之上 大概 1.3v 因为 这 uvlo 电路 是 powered
通过 这 输出 管脚.
这 imp 输出 平台 效能 在 uvl 模式, 当 sinking
20ma, 是 显示 在
图示 2
.
图示 2. 输出 平台 效能 在 uvl 模式
0
输出
(v)
V
DD
(v)
2.0
1.5
1.0
0.5
0
V
输出
当 sinking 20ma
12345 7698
38c/hc_05b.eps
imp38c/hc4x
sdlohserhTtuokcoLegatlovrednU
v4.8tapu-trats
v6.7=muminimgnitarepo
v5.41tapu-trats
v0.9=muminimgnitarepo
34ch/34c83pmI24ch/24c83pmi
54ch/54c83pmI44ch/44c83pmi
spe.40t_ch/c83
这 imp38c 和 imp38hc 设备 是 兼容 和 generic
384x pwm 设备. 这 下列的 discussion 最好的部分 这 dif-
ferences 和 有利因素 的 这 imp ‘c’ 和 ‘hc’ 设计.
开始-向上 电流
imp’s bicmos 处理 准许 为 substantial 减少 在 这
开始-向上 电流. 典型 开始-向上 电流 是 95
µ
一个, 和 一个 maxi-
mum 限制 的 120
µ
一个. 低 开始-向上 电流 准许 高 阻抗,
更小的-wattage, 开始-向上 电阻器 至 供应 控制 开始-向上
电源.
运行 电流
运行 电流 有 被 减少 至 1.5ma 最大.
对照的 至 这 11ma 需要 为 一个 典型 双极 控制 和
6mA 为 competitive bicmos 控制者, imp's 低 运行
电流 准许 这 控制 至 run cooler 和 和 更好的 effi-
ciency. 在 增加, 这 v
CC
支撑-向上 电容 (使用 在
开始-向上) 能 是 减少.
输出 驱动器
这 imp38hc4x/38c4x cmos 输出 平台 驱动 外部
电源 mosfets 至 这 全部 供应 电压. 低 在-阻抗
和 高 顶峰 电流 驱动 联合的 至 给 更好 比 1000pf
门 电容 驱动 能力. 上升 和 下降 时间 (所需的)东西
将 dictate 这 适合的 值 的 输出 电容. 在里面
这 restrictions 的 输出 capacity 和 控制 电源 dissipa-
tion, 切换 发生率 能 超过 1mhz.
这 cmos 输出 平台 “break-在之前-make” action 是 guaran-
teed 用 设计 和 insures 那 非 交叉-传导 电流 将
流动. 这个 降低 热温 消耗, 增加 效率 和
enhances 可靠性.
振荡器 运作
二 外部 组件, rt 和 ct, 设置 这 切换 频率.
和 v
CC
= 14v, rt = 10k 和 ct = 3.3nf, 名义上的 切换
频率 是 50khz.
图示 1. 振荡器 组件 选择
应用 信息
频率 Hz
1.73
RT CT F
[]
=
[]
×
[]
Ω
IMP38C4x
IMP38HC4x
V
REF
rt/ct
地
38c/hc_07.eps
RT
CT
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