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资料编号:405128
 
资料名称:AAT9055INY-T1
 
文件大小: 123.38K
   
说明
 
介绍:
30V N-Channel Power MOSFET
 
 


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典型 特性
源-流 二极管 向前 电压
0.1
1
10
100
0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4
V
I
S
(一个)
SD
(v)
T
J
= 25
°
C
T
J
= 150
°
C
门 承担
0
2
4
6
8
10
0246810
Q
G
, 承担 (nc)
V
GS
(v)
V
D
=15V
R
D
=2.5
在-阻抗 vs. 门 至 源 电压
0
20
40
60
80
100
024681
0
V
GS
(v)
R
ds(在)
(m
)
I
D
= 10a
在-阻抗 vs. 流 电流
I
D
(一个)
R
ds(在)
(m
)
0
20
40
60
80
100
120
0481216
V
GS
V
GS
= 10v
转移 特性
V
GS
(v)
I
D
(一个)
0
4
8
12
16
012345
V
D
=V
G
25°C
-55°c
125°C
输出 特性
V
DS
(v)
I
DS
(一个)
2V
0
4
8
12
16
01234
3V
6V
3.5v
5V
4.5v
10V
4V
AAT9055
30v n-频道 电源 场效应晶体管
9055.2003.04.0.61
3
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