IPS042G
2 www.irf.com
(1) 限制 用 接合面 温度 (搏动 电流 限制 也 用 内部的 线路)
(2) 行动 在 高等级的 切换 发生率 是 可能. 看 appl. 注释.
31
绝对 最大 比率
绝对 最大 比率 表明 sustained 限制 在之外 这个 损坏 至 这 设备 将 出现. 所有 电压 参数是ref-
erenced 至 源 含铅的. (t
包围的
= 25
o
c 除非 否则 指定). pcb 挂载 使用 这 标准 footprint 和 70
µ
m
铜 厚度.
标识 参数 最小值 最大值 单位 测试 情况
V
ds
最大 流 至 源 电压 — 47
V
在
最大 输入 电压 -0.3 7
I
在, 最大值
最大 在 电流 -10 +10 毫安
I
sd
内容.
二极管 最大值 持续的 电流
(1)
(为 所有 isd mosfets, rth=125
o
c/w) — 1.2
I
sd
搏动
二极管 最大值 搏动 电流
(1)
—3
P
d 最大 电源 消耗
(1)
(为 所有 pd mosfets, rth=125
o
c/w) — 1 W
ESD1 静电的 释放 voltage
(人 身体)
— 4 c=100pf, r=1500
Ω,
ESD2 静电的 释放 电压
(机器 模型)
— 0.5 c=200pf, r=0
Ω,
L=10
µ
H
T
贮存.
最大值 存储 温度 -55
150
T
j
最大值 最大值 接合面 温度 -40
+150
V
一个
kV
标识 参数 最小值 典型值 最大值 单位 测试情况
R
th1
热的 阻抗 和 标准 footprint
(2 mosfets 在)
—
100
—
R
th2
热的 阻抗 和 标准 footprint
(1 场效应晶体管 在) —
125
—
R
th3
热的 阻抗 和 1" 正方形的 footprint
(2 mosfets 在)
—
65
—
热的 特性
o
c/w
o
C
推荐 运行 情况
这些 值 是 给 为 一个 快 设计. 为 运作 外部 这些 情况, 请 咨询 这 应用 注释.
标识 参数 最小值 最大值单位
V
ds
(最大值)
持续的 流 至 源 电压
—
35
V
IH
高 水平的 输入 电压 4 6
V
IL
低 水平的 输入 电压
0 0.5
I
ds
持续的 流 电流 (两个都 mosfets 在 这个 电流)
Tamb=85
o
C
tambient = 85
o
c, 在 = 5v, rth = 100
o
c/w, tj = 125
o
C — 0.53 一个
R
在
推荐 电阻 在 序列 和 在 管脚 1
5 k
Ω
T
r-在(最大值)
最大值 推荐 上升 时间 为 在 信号 (看 图. 2) — 1
µ
S
F
r
-i
sc
(2)
最大值 频率 在 短的 电路 情况 (vcc = 14v) 0 1 kHz
V
: 点此下载
