IPS024G_集成电路资料查询网

IPS024G
4 www.irf.com
标识 参数 最小值 典型值 最大值 单位 Test情况
s
T
sd
在 温度 门槛 — 165 —
o
C 看 图. 1
I
sd
在 电流 门槛 4 6 8 一个 看 图. 1
V
重置
在 保护 重置 门槛 1.5 2.3 3 V
T
重置
时间 至 重置 保护
2
10
40
µ
s     v
在
=  0v, tj = 25
o
C
eoi_ot 短的电路 活力 (看 应用 便条)
—
400
—
µ
JV
cc
= 14v
保护 特性
含铅的 assignments
部分 号码
16 含铅的 soic
(四方形)
IPS024G
函数的 块 图解
所有 值 是 典型
在
流
源
8.1 v
80
µ
一个
47 v
i sense
200 k
Ω
1000
Ω
S
Q
R
Q
t > 165°c
i > isd
s1  i1   s2 i2  s3  i3  s4  i4
D1
d1 d2 d2 d3 d3 d4 d4
1

标　题:
内　容:
用户名:

手机号:	(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)

本平台电子爱好着纯手工中文简译:	截至2020/5/17日,支持英文词汇500个

IPS024G 4 www.irf.com 标识参数最小值典型值最大值单位 Test情况 s T sd 在温度门槛 — 165 — o C 看图. 1 I sd 在电流门槛 4 6 8 一个看图. 1 V 重置在保护重置门槛 1.5 2.3 3 V T 重置时间至重置保护 2 10 40 µ s v 在 = 0v, tj = 25 o C eoi_ot 短的电路活力 (看应用便条) — 400 — µ JV cc = 14v 保护特性含铅的 assignments 部分号码 16 含铅的 soic (四方形) IPS024G 函数的块图解所有值是典型在流源 8.1 v 80 µ 一个 47 v i sense 200 k Ω 1000 Ω S Q R Q t > 165°c i > isd s1 i1 s2 i2 s3 i3 s4 i4 D1 d1 d2 d2 d3 d3 d4 d4 1

	电话：13410210660 QQ : 84325569
	联系方式： E-mail:CaiZH01@163.com