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资料编号:406276
 
资料名称:IPS031G
 
文件大小: 138.98K
   
说明
 
介绍:
SINGLE/DUAL FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH
 
 


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ips031g/ips032g
www.irf.com 9
图示 16a - 瞬时 热的 imped. (
o
c/w)
vs 时间 (s) - ips031g
0.01
0.1
1
10
100
rth so8 std footprint
单独的 脉冲波
图示 16b - 瞬时 热的 imped. (
o
c/w)
vs 时间 (s) - ips032g
0.01
0.1
1
10
100
rth so16 标准 footprint 1
场效应晶体管 起作用的
rth so16 标准 footprint 2
mosfets 起作用的
单独的 脉冲波
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
iin,在
iin,止
图示 17 - 输入 电流 (
µ
一个) vs tj (
o
c)
80%
85%
90%
95%
100%
105%
110%
115%
120%
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
Vdsclam p @ 是d
V在 clamp @ 10m一个
图示 18 - vin clamp 和 v clamp2 (%)
vs tj (
o
c)
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