IR5001
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在 一个 好 - 设计 起作用的 oring 电路, 这
rds(在) 的 这 起作用的 oring 场效应晶体管 应当 发生
在 50mv 至 100mv 的 (inp – inn) voltage
在 正常的, 稳步的 状态 运作. (这 正常的
运作 谈及 至 电流 流 从 这 源 至
流 的 这 起作用的 oring 场效应晶体管, half 的 这 全部-加载
系统 电流 流 通过 各自 或者-ed 源,
在 名义上的 输入 电压). 最大 电源
消耗 下面 worst-情况 情况 为 这 场效应晶体管
应当 是 计算 和 核实 相反 这 数据
薄板 限制 的 这 选择 设备.
ir5001 热的 仔细考虑
最大 接合面 温度 的 这 ir5001 在 一个
应用 应当 不 超过 这 最大
运行 接合面 温度, 指定 在 125°c:
tj = pdiss * rtheta j-一个 + tamb <= tj (max),
在哪里 rtheta j-一个 是 这 热的 阻抗 从
junction 至 包围的 热的 阻抗 (指定 一个 t
128 °c/w), pdiss 是 ic 电源 消耗, 和 tamb
是 运行 包围的 温度.
这 最大 电源 消耗 能 是 estimated
作 跟随:
pdiss < (tj 最大值 – tamb 最大值) / rtheta j-一个
自从 tj 最大值= 125
°
c, tamb = 85
°
c, 和 rtheta j-一个
= 128
°
c/w, 这 最大 电源 消耗 允许
是:
pdiss 最大值 = (125 – 85) / 128 = 0.3w
和 恰当的 选择 的 icc (作 discussed 在 这
详细地 管脚 描述), 这 最大 powe
r
消耗 将 从不 是 超过 (最大值 icc * 最大值
vcc = 10ma * 13.9v = 0.14w).
布局 仔细考虑
inn 和 inp 应当 是 连接 非常 关闭 至
这 流 和 源 终端 的 这 起作用的 oring
场效应晶体管. pcb 查出 在 这 vout 管脚 和 这 门
的 这 n-场效应晶体管 应当 也 是 使减少到最低限度. 一个 最小
的 0.1uf 解耦 电容 必须 是 连接
从 vcc 至 地 的 这 ir5001and 应当 是 放置
作 关闭 至 这 ir5001 作 可能. 地面 应当
是 连接 至 这 源 的 n-场效应晶体管 separately
从 这 inp 管脚.
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