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资料编号:407991
资料名称:
IRL3714
文件大小: 127.87K
说明
:
介绍
:
Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=20mohm, Id=36A)
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
irl3714/3714s/3714l
2
www.irf.com
标识
参数
最小值
典型值
最大值
单位
情况
I
S
持续的 源 电流
场效应晶体管
标识
(身体 二极管)
–––
表明 这
I
SM
搏动 源 电流
integral
反转
(身体 二极管)
–––
p-n 接合面 二极管.
–––
–––
1.3
V
T
J
= 25
°
c, i
S
= 18a, v
GS
= 0v
–––
0.88
–––
T
J
= 125
°
c, i
S
= 18a, v
GS
= 0v
t
rr
反转 恢复 时间
–––
35
53
ns
T
J
= 25
°
c, i
F
= 18a, v
R
=10V
Q
rr
反转 恢复 承担
–––
34
51
nC
di/dt = 100a/µs
t
rr
反转 恢复 时间
–––
35
53
ns
T
J
= 125
°
c, i
F
= 18a, v
R
=10V
Q
rr
反转 恢复 承担
–––
35
53
nC
di/dt = 100a/µs
参数
最小值
典型值
最大值
单位
情况
V
(br)dss
流-至-源 损坏 电压
20
–––
–––
VV
GS
= 0v, i
D
= 250µa
∆
V
(br)dss
/
∆
T
J
损坏 电压 温度 系数
–––
0.022
–––
v/
°
c 涉及 至 25
°
c, i
D
= 1ma
–––
15
20
V
GS
= 10v, i
D
= 18a
–––
21
28
V
GS
= 4.5v, i
D
= 14a
V
gs(th)
门 门槛 电压
1.0
–––
3.0
V
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250µa
–––
–––
20
µA
V
DS
= 16v, v
GS
= 0v
–––
–––
100
V
DS
= 16v, v
GS
= 0v, t
J
= 125
°
C
门-至-源 向前 泄漏
–––
–––
200
V
GS
= 16v
门-至-源 反转 泄漏
–––
–––
-200
nA
V
GS
= -16v
动态 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
ns
标识
参数
典型值
最大值
单位
E
作
单独的 脉冲波 avalanche 活力
–––
72
m
J
I
AR
avalanche 电流
–––
14
一个
avalanche 特性
S
D
G
二极管 特性
一个
标识
参数
最小值
典型值
最大值
单位
情况
g
fs
向前 跨导
17
–––
–––
SV
DS
= 10v, i
D
= 14a
Q
g
总的 门 承担
–––
6.5
9.7 i
D
= 14a
Q
gs
门-至-源 承担
–––
1.8
–––
nC
V
DS
= 10v
Q
gd
门-至-流 ("miller") 承担
–––
2.9
–––
V
GS
= 4.5v
Q
oss
输出 门 承担
–––
7.1
–––
V
GS
= 0v, v
DS
= 10v
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
–––
8.7
–––
V
DD
= 10v
t
r
上升 时间
–––
78
–––
I
D
= 14a
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
–––
10
–––
R
G
= 1.8
Ω
t
f
下降 时间
–––
4.5
–––
V
GS
= 4.5v
C
iss
输入 电容
–––
670
–––
V
GS
= 0v
C
oss
输出 电容
–––
470
–––
V
DS
= 10v
C
rss
反转 转移 电容
–––
68
–––
pF
ƒ
= 1.0mhz
V
SD
二极管 向前 电压
静态的 @ t
J
= 25
°
c (除非 否则 指定)
I
GSS
I
DSS
流-至-源 泄漏 电流
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗
36
140
m
Ω
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