首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:408075
 
资料名称:IRLR2905
 
文件大小: 135.08K
   
说明
 
介绍:
HEXFET Power MOSFET
 
 


: 点此下载
  浏览型号IRLR2905的Datasheet PDF文件第1页
1
浏览型号IRLR2905的Datasheet PDF文件第2页
2
浏览型号IRLR2905的Datasheet PDF文件第3页
3

4
浏览型号IRLR2905的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号IRLR2905的Datasheet PDF文件第6页
6
浏览型号IRLR2905的Datasheet PDF文件第7页
7
浏览型号IRLR2905的Datasheet PDF文件第8页
8
浏览型号IRLR2905的Datasheet PDF文件第9页
9
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
irlr/u2905
4 www.irf.com
图 8.
最大 safe 运行 范围
图 6.
典型 门 承担 vs.
门-至-源 电压
图 5.
典型 电容 vs.
流-至-源 电压
图 7.
典型 源-流 二极管
向前 电压
0
400
800
1200
1600
2000
2400
2800
1 10 100
c, 电容 (pf)
DS
V, drain-至-source voltage (v)
一个
V=0V, f = 1mHz
c =c +c , cSHORTE D
c =C
c =c +C
GS
s
gsgd ds
rss
gd
oss ds
gd
C
s
C
oss
C
rss
0
3
6
9
12
15
0 10203040506070
Q, total g一个te charge (nc)
G
V, g一个te-至-source voltage (v)
GS
一个
FOr 测试 电路
SEEURE13
V=44V
V=28V
i = 25a
DS
DS
D
10
100
1000
0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4
t = 25°c
J
V=0V
GS
v , 源-至-流 voltage (v)
i , reverse 流 current (一个)
SD
SD
一个
t = 175°c
J
1
10
100
1000
1 10 100
V, dra在-至-source voltage (v)
DS
i , 流 电流 (一个)
OPERATION这个一个RE一个LIMITED
BYR
D
ds(在)
10µs
100µs
1ms
10ms
一个
t =25°C
t =175°C
Sin
gle P u lse
C
J
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com