保护 大而单一的 电源 mosfets 提供 简单的,
费用 有效的 解决方案 在 产品 在哪里 extreme oper-
ating 情况 能 出现. 这 余裕 在 这
运行 情况 和 这 绝对 最大 值 能
是 narrowed, 结果 在 更好的 utilization 的 这 设备 和
更小的 费用. 静电释放 保护 也 减少 这 止-电路
failures 在 处理 和 组装.
这 irsf3011 是 一个 全部地 保护 大而单一的 n-频道
逻辑 水平的 电源 场效应晶体管 和 200m
Ω
(最大值) 在-re-
sistance. 这 建造-在 protections 包含 在-电流,
在-温度, 静电释放 和 在-电压.
这 在-电流 和 在-温度 protections 制造
这 irsf3011 indestructible 下面 任何 加载 情况 在
切换 或者 在 直线的 产品. 这 建造-在 静电释放 pro-
tection 降低 这 风险 的 静电释放 损坏 当 这 设备
是 止-电路. 这 irsf3011 是 全部地 典型 为 ava-
lanche 运作 和 能 是 使用 为 快 de-energization 的
inductive 负载.
这 至-220 packaged irsf3011 提供 一个 容易 upgrade
和 直接 管脚-至-管脚 替换 从 非-保护 de-
vices.
作 illustrated 在 图示 a1, 一个 齐纳 二极管 在 这 输入
和 这 源 提供 这 静电释放 保护 为 这 输入
和 也 限制 这 电压 应用 至 这 输入 至 10v.
这 r-s flip-flop memorizes 这 occurrence 的 一个 错误
情况 和 控制 这 q2 和 q3 switches. 这 flip-
flop 能 是 cleared 用 支持 这 输入 低 为 这
指定 最小 持续时间.
comp1 和 comp2 comparators 是 使用 至 对比 这
在-电流 和 在-温度 信号 和 这 建造-在
涉及. 也 比较器 能 重置 这 故障 flip-flop
和 转变 q1 止. 在 故障 情况, q2 disconnects
这 门 的 q1 从 这 输入, 和 q3 shorts 这 门 和
源 的 q1, 结果 在 迅速 转变-止 的 q1. 这 齐纳
二极管 在 这 门 和 流 的 q1 转变 q1 在 当
这 流 至 源 电压 超过 55v.
在 这 irsf3011, 这 控制 逻辑 和 这 保护 cir-
cuits 是 powered 从 这 输入 管脚. 当 积极的
电压 呈现 在 这 输入 管脚, 这 r-s flip-flop 转变 q2
在 和 connects 这 门 的 这 主要的 设备 至 这 输入.
这 转变-在 速 是 限制 用 这 频道 阻抗 的 q2
和 这 门 承担 (所需的)东西 的 q1. 这 典型 转变-
ing 波形 在 5v 输入 电压 是 显示 在 图示 a2.
使用 高等级的 输入 电压 将 改进 这 转变-在 时间 但是
它 将 不 影响 这 转变-止 切换 速.
这 典型 波形 在 7v 输入 电压 是 显示 在
图示 a3. 在 典型 切换 产品 (在下 60khz)
这 区别 在 切换 losses 在 这 irsf3011
和 这 一样 大小 标准 场效应晶体管 是 negligible.
当 这 流 电流 超过 这 preset 限制, 这 protec-
tion 电路 resets 这 内部的 flip-flop 和 转变 q1 止.
正常的 运作 能 是 restored 用 支持 这 输入 volt-
输入 电压 5v/div.
流 电流: 1a/div.
流 电压 5v/div.
时间: 1
µ
sv/div.
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