IS41C16100S
IS41LV16100S
整体的 电路 解决方案 公司
7
dr004-0b
交流 特性
(1,2,3,4,5,6)
(推荐 运行 情况 除非 否则 指出.)
-45 -50 -60
标识 参数 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 单位
t
RC
随机的 读 或者 写 循环 时间 77 — 84 — 104 — ns
t
RAC
进入 时间 从
RAS
(6, 7)
—45—50—60 ns
t
CAC
进入 时间 从
CAS
(6, 8, 15)
—11—13—15 ns
t
AA
进入 时间 从 column-地址
(6)
—22—25—30 ns
t
RAS
RAS
脉冲波 宽度 45 10K 50 10K 60 10K ns
t
RP
RAS
precharge 时间 28 — 30 — 40 — ns
t
CAS
CAS
脉冲波 宽度
(26)
7 10K 8 10K 10 10K ns
t
CP
CAS
precharge 时间
(9, 25)
7—9—9—ns
t
CSH
CAS
支撑 时间
(21)
35 — 38 — 40 — ns
t
RCD
RAS
至
CAS
延迟 时间
(10, 20)
10 34 12 37 14 45 ns
t
ASR
行-地址 建制 时间 0 — 0 — 0 — ns
t
RAH
行-地址 支撑 时间 6 — 8 — 10 — ns
t
ASC
column-地址 建制 时间
(20)
0—0—0—ns
t
CAH
column-地址 支撑 时间
(20)
6—8—10—ns
t
AR
column-地址 支撑 时间 30 — 30 — 40 — ns
(关联 至
RAS
)
t
RAD
RAS
至 column-地址 延迟 时间
(11)
8 2310251230 ns
t
RAL
column-地址 至
RAS
含铅的 时间 23 — 25 — 30 — ns
t
RPC
RAS
至
CAS
precharge 时间 5 — 5 — 5 — ns
t
RSH
RAS
支撑 时间
(27)
6—8—10—ns
t
RHCP
RAS
支撑 时间 从
CAS
Precharge 37 — 37 — 37 — ns
t
CLZ
CAS
至 输出 在 低-z
(15, 29)
0—0—0—ns
t
CRP
CAS
至
RAS
precharge 时间
(21)
5—5—5—ns
t
OD
输出 使不能运转 时间
(19, 28, 29)
313315315ns
t
OE
输出 使能 时间
(15, 16)
—11—13—15 ns
t
OED
输出 使能 数据 延迟 (写) 20 — 20 — 20 — ns
t
OEHC
OE
高 支撑 时间 从
CAS
高 5 — 5 — 5 — ns
t
OEP
OE
高 脉冲波 宽度 10 — 10 — 10 — ns
t
OES
OE
低 至
CAS
高 建制 时间 5 — 5 — 5 — ns
t
RCS
读 command 建制 时间
(17, 20)
0—0—0—ns
t
RRH
读 command 支撑 时间 0 — 0 — 0 — ns
(关联 至
RAS
)
(12)
t
RCH
读 command 支撑 时间 0 — 0 — 0 — ns
(关联 至
CAS
)
(12, 17, 21)
t
WCH
写 command 支撑 时间
(17, 27)
6—8—10—ns
t
WCR
写 command 支撑 时间 40 — 40 — 50 — ns
(关联 至
RAS
)
(17)
t
WP
写 command 脉冲波 宽度
(17)
6—8—10—ns
t
WPZ
我们
脉冲波 widths 至 使不能运转 输出 10 — 10 — 10 — ns
t
RWL
写 command 至
RAS
含铅的 时间
(17)
11 — 13 — 15 — ns
t
CWL
写 command 至
CAS
含铅的 时间
(17, 21)
6—8—10—ns
t
WCS
写 command 建制 时间
(14, 17, 20)
0—0—0—ns
t
DHR
数据-在 支撑 时间 (关联 至
RAS
)39—39—39—ns
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