7
®
ISO122
效能 曲线 显示 这个 行为 graphically; 在 输入
发生率 在之上 250khz 这 设备 发生 一个 输出
信号 组件 的 减少 巨大 在 一个 频率
在下 250khz. 这个 是 这 aliasing 效应 的 抽样 在
发生率 较少 比 2 时间 这 信号 频率 (这
nyquist 频率). 便条 那 在 这 运输车 频率 和 它的
和声学, 两个都 这 频率 和 振幅 的 这 aliasing
go 至 零.
分开 模式 电压 induced errors
imv 能 induce errors 在 这 输出 作 表明 用 这 plots
的 imv vs 频率. 它 应当 是 指出 那 如果 这 imv
频率 超过 250khz, 这 输出 也 将 显示
spurious 输出 (aliasing), 在 一个 manner 类似的 至 那 为
V
在
> 250khz 和 这 放大器 回馈 将 是 完全同样的 至
那 显示 在 这 信号 回馈 至 输入 更好 比
250khz 效能 曲线. 这个 occurs 因为 imv-
induced errors behave 像 输入-涉及 错误 信号. 至
预言 这 总的 错误, 分隔 这 分开 电压 用 这
imr 显示 在 这 imr vs 频率 曲线 和 计算 这
放大器 回馈 至 这个 输入-涉及 错误 信号 从
这 数据 给 在 这 信号 回馈 至 输入 更好 比
250khz 效能 曲线. 为 例子, 如果 一个 800khz
1000vrms imr 是 呈现, 然后 一个 总的 的 [(–60db) +
(–30db)] x (1000v) = 32mv 错误 信号 在 200khz 加 一个
1v, 800khz 错误 信号 将 是 呈现 在 这 输出.
高 imv dv/dt errors
作 这 imv 频率 增加 和 这 dv/dt 超过
1000v/
µ
s, 这 sense 放大 将 开始 至 false 触发, 和 这
输出 将 显示 spurious errors. 这 一般 模式
电流 正在 sent 横过 这 屏障 用 这 高 回转 比率 是
这 导致 的 这 false triggering 的 这 sense 放大器.
lowering 这 电源 供应 电压 在下
±
15v 将
decrease 这 dv/dt 至 500v/
µ
s 为 典型 效能.
分开 屏障
V
在
1
µ
F
+V
S2
–
V
S1
+V
S1
1
µ
F1
µ
F
地
–V
S2
1
µ
F
V
输出
地
±
V
S1
±
V
S2
图示 2. 基本 信号 和 电源 连接.
高 电压 测试
芒刺-褐色 公司 有 adopted 一个 partial 释放 测试
标准 那 遵从 至 这 同父母的 vde0884 optocou-
pler standards. 这个 方法 需要 这 度量 的
分钟 电流 脉冲 (<5pc) 当 应用 2400vrms,
60hz 高 电压 压力 横过 每 iso122 分开
屏障. 非 partial 释放 将 是 initiated 至 通过 这个
测试. 这个 标准 confirms 瞬时 超（电）压 (1.6
x
1500vrms) 保护 没有 损坏 至 这 iso122. lifetest
结果 核实 这 absence 的 失败 下面 持续的 评估
电压 和 最大 温度.
这个 新 测试 方法 代表 这 “state 的 这 art” 为
非-引起破坏 高 电压 可靠性 测试. 它 是 为基础 在
这 影响 的 非-uniform 地方 那 exist 在 heterogeneous
dielectric 材料 在 屏障 降级. 在 这 情况 的
void 非-uniformities, electric 地方 压力 begins 至 ionize
这 void 区域 在之前 bridging 这 全部 高 电压
屏障. 这 瞬时 传导 的 承担 在 和 之后
这 ionization 能 是 发现 externally 作 一个 burst 的 0.01-
0.1
µ
s 电流 脉冲 那 repeat 在 各自 交流 电压 循环.
这 最小 交流 屏障 电压 那 initiates partial dis-
承担 是 定义 作 这 “inception 电压.” 减少 这
屏障 电压 至 一个 更小的 水平的 是 必需的 在之前 partial
释放 ceases 和 是 定义 作 这 “extinction 电压.”
我们 有 典型 和 开发 这 包装 绝缘
处理 至 yield 一个 inception 电压 在 excess 的 2400vrms
所以 那 瞬时 overvoltages 在下 这个 水平的 将 不
损坏 这 iso122. 这 extinction 电压 是 在之上
1500vrms 所以 那 甚至 超（电）压 induced partial dis-
承担 将 cease once 这 屏障 电压 是 减少 至 这
1500vrms (评估) 水平的. older 高 电压 测试 方法
relied 在 应用 一个 大 足够的 超（电）压 (在之上 比率)
至 破裂 向下 marginal 部分, 但是 不 所以 高 作 至 损坏
好的 ones. 我们的 新 partial 释放 测试 给 美国 更多
信心 在 屏障 可靠性 比 损坏/非 破裂-
向下 criteria.
ISO122P
ISO150
一个
1
一个
0
–15V
+15V
+15V –15V
1
2
9
10
7
8
V
输出
2
1
15 15
16
PGA
102
7
6
8
V
在
3
4
5
图示 3. 可编程序的-增益 分开 频道 和
增益 的 1, 10, 和 100.
: 点此下载
