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资料编号:413152
 
资料名称:IXFH13N100
 
文件大小: 82.12K
   
说明
 
介绍:
HiPerFET Power MOSFETs
 
 


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2 - 4
© 2000 ixys 所有 权利 保留
至-247 ad (ixfh) 外形
维度 Millimeter 英寸
最小值 最大值 最小值 最大值
一个 19.81 20.32 0.780 0.800
B 20.80 21.46 0.819 0.845
C 15.75 16.26 0.610 0.640
D 3.55 3.65 0.140 0.144
E 4.32 5.49 0.170 0.216
F 5.4 6.2 0.212 0.244
G 1.65 2.13 0.065 0.084
H - 4.5 - 0.177
J 1.0 1.4 0.040 0.055
K 10.8 11.0 0.426 0.433
L 4.7 5.3 0.185 0.209
M 0.4 0.8 0.016 0.031
N 1.5 2.49 0.087 0.102
维度 Millimeter 英寸
最小值 最大值 最小值 最大值
一个 38.61 39.12 1.520 1.540
B 19.43 19.94 - 0.785
C 6.40 9.14 0.252 0.360
D 0.97 1.09 0.038 0.043
E 1.53 2.92 0.060 0.115
F 30.15 BSC 1.187 BSC
G 10.67 11.17 0.420 0.440
H 5.21 5.71 0.205 0.225
J 16.64 17.14 0.655 0.675
K 11.18 12.19 0.440 0.480
Q 3.84 4.19 0.151 0.165
R 25.16 25.90 0.991 1.020
标识 测试 情况 典型的 值
(t
J
c, 除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
g
fs
V
DS
= 10 v; i
D
= 0.5 • i
D25
, 脉冲波 测试 6 10 S
C
iss
4000 pF
C
oss
V
GS
= 0 v, v
DS
= 25 v, f = 1 mhz 310 pF
C
rss
70 pF
t
d(在)
21 50 ns
t
r
V
GS
= 10 v, v
DS
= 0.5 • v
DSS
, i
D
= 0.5 • i
D25
33 50 ns
t
d(止)
R
G
= 2

(外部), 62 100 ns
t
f
32 50 ns
Q
g(在)
122 155 nC
Q
gs
V
GS
= 10 v, v
DS
= 0.5 • v
DSS
, i
D
= 0.5 • i
D25
30 45 nC
Q
gd
50 80 nC
R
thJC
0.42 k/w
R
thCK
0.25 k/w
源-流 二极管 典型的 值
(t
J
c, 除非 否则 指定)
标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值
I
S
V
GS
= 0 v 10N100 10 一个
12N100 12 一个
13N100 12.5 一个
I
SM
repetitive; 10N100 40 一个
脉冲波 宽度 限制 用 t
JM
12N100 48 一个
13N100 50 一个
V
SD
I
F
= i
S
, v
GS
= 0 v, 1.5 V
脉冲波 测试, t

300
s, 职责 循环 d

2 %
t
rr
T
J
=25
C 250 ns
T
J
= 125
C 400 ns
Q
RM
T
J
=25
C1
C
T
J
= 125
C2
C
I
RM
T
J
=25
C10A
T
J
= 125
C15A
I
F
= i
S
-di/dt = 100 一个/
s,
V
R
= 100 v
ixfh 10n100 ixfh 12n100 ixfh 13n100
ixfm 10n100 ixfm 12n100
ixys mosfets 和 igbts 是 covered 用 一个 或者 更多 的 这 下列的 u.s. 专利权:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
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