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标识 测试 情况 最大 比率
V
DSS
T
J
= 25
c 至 150
C N07 70 V
N06 60 V
V
DGR
T
J
= 25
c 至 150
c; r
GS
= 1 m
N07 70 V
N06 60 V
V
GS
持续的
20 V
V
GSM
瞬时
30 V
I
D25
T
C
= 25
c; 碎片 能力 200n06/200n07 200 一个
180N07 180 一个
I
l(rms)
终端 电流 限制 100 一个
I
DM
T
C
= 25
c, 脉冲波 宽度 限制 用 t
JM
600 一个
I
AR
T
C
= 25
C 100 一个
E
AR
T
C
= 25
C30mJ
E
作
T
C
= 25
c 2j
dv/dt
I
S
I
DM
, di/dt
100 一个/
s, v
DD
V
DSS
, 5 v/ns
T
J
150
c, r
G
= 2
P
D
T
C
= 25
C 520 W
T
J
-55 ... +150
C
T
JM
150
C
T
stg
-55 ... +150
C
V
ISOL
50/60 hz, rms t = 1 最小值 2500 V~
I
ISOL
1 毫安 t = 1 s 3000 V~
M
d
挂载 torque 1.5/13nm/lb.在.
终端 连接 torque 1.5/13nm/lb.在.
重量
30 g
标识 测试 情况 典型的 值
(t
J
= 25
c, 除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
V
DSS
V
GS
= 0 v, i
D
= 1 毫安 N06 60 V
N07 70 V
V
gs (th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= 8 毫安 2 4 V
I
GSS
V
GS
=
20 v
直流
, v
DS
= 0
200 nA
I
DSS
V
DS
= 0.8 • v
DSS
T
J
= 25
C 400
一个
V
GS
= 0 v T
J
= 125
C2mA
R
ds(在)
V
GS
= 10 v, i
D
= 0.5 • i
D25
200n06/200n07 6 m
脉冲波 测试, t
300
s, 职责 循环 d
2 % 180N07 7 m
g = 门 d = 流
s = 源
也 源 终端 在 minibloc 能 是 使用
作 主要的 或者 kelvin 源
特性
• 国际的 标准 包装
• minibloc 和 aluminium 渗氮
分开
• 低 r
ds (在)
HDMOS
TM
处理
• 坚毅的 polysilicon 门 cell 结构
• unclamped inductive 切换 (uis)
评估
• 低 包装 电感
• 快 intrinsic 整流器
产品
• 直流-直流 转换器
• 同步的 整流
• 电池 chargers
• 切换-模式 和 resonant-模式
电源 供应
• 直流 choppers
• 温度 和 lighting 控制
• 低 电压 接转
有利因素
• 容易 至 挂载
• 空间 savings
• 高 电源 密度
S
G
S
D
minibloc, sot-227 b (ixfn)
E153432
97533a (9/99)
HiPerFET
TM
电源 mosfets
n-频道 增强 模式
avalanche 评估, 高 dv/dt, 低 t
rr
V
DSS
I
D25
R
ds(在)
ixfn 200 n06 60 v 200 一个 6m
ixfn 180 n07 70 v 180 一个 7m
ixfn 200 n07 70 v 200 一个 6m
t
rr
250 ns
ixys reserves 这 正确的 至 改变 限制, 测试 情况, 和 维度.