c1 - 184
© 2000 ixys 所有 权利 保留
标识 测试 情况 最大 比率
IXFK IXFN
V
DSS
T
J
= 25
°
c 至 150
°
C 500 500 V
V
DGR
T
J
= 25
°
c 至 150
°
c; r
GS
= 1 m
Ω
500 500 V
V
GS
持续的
±
20
±
20 V
V
GSM
瞬时
±
30
±
30 V
I
D25
T
C
= 25
°
C 44N50 44 44 一个
48N50 48 48 一个
I
DM
T
C
= 25
°
c, 44N50 176 176 一个
脉冲波 宽度 限制 用 t
JM
48N50 192 192 一个
I
AR
T
C
= 25
°
C2424A
E
AR
T
C
= 25
°
C3030mJ
dv/dt
I
S
≤
I
DM
, di/dt
≤
100 一个/
µ
s, v
DD
≤
V
DSS
, 5 5 v/ns
T
J
≤
150
°
c, r
G
= 2
Ω
P
D
T
C
= 25
°
C 500 520 W
T
J
-55 ... +150
°
C
T
JM
150
°
C
T
stg
-55 ... +150
°
C
T
L
1.6 mm (0.063 在) 从 情况 为 10 s 300 -
°
C
V
ISOL
50/60 hz, rms t = 1 最小值 - 2500 V~
I
ISOL
≤
1 毫安 t = 1 s - 3000 V~
M
d
挂载 torque 0.9/6 1.5/13 nm/lb.在.
终端 连接 torque - 1.5/13 nm/lb.在.
重量
10 30 g
HiPerFET
TM
电源 mosfets
n-频道 增强 模式
avalanche 评估, 高 dv/dt, 低 t
rr
特性
国际的 标准 包装
塑造 epoxies 满足 ul
94
v-0
flammability 分类
sot-227b minibloc 和 aluminium
渗氮 分开
低 r
ds (在)
HDMOS
TM
处理
unclamped inductive 切换 (uis)
评估
快 intrinsic 整流器
产品
直流-直流 转换器
同步的 整流
电池 chargers
切换-模式 和 resonant-模式
电源 供应
直流 choppers
温度 和 lighting 控制
有利因素
容易 至 挂载
空间 savings
高 电源 密度
V
DSS
I
D25
R
ds(在)
ixfk / ixfn 44 n50 500 v 44 一个 0.12
Ω Ω
Ω Ω
Ω
ixfk / ixfn 48 n50 500 v 48 一个 0.10
ΩΩ
ΩΩ
Ω
t
rr
≤ ≤
≤ ≤
≤
250 ns
标识 测试 情况 典型的 值
(t
J
= 25
°
c, 除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
V
DSS
V
GS
= 0 v, i
D
= 1 毫安 500 V
V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= 8 毫安 2 4 V
I
GSS
V
GS
=
±
20 v
直流
, v
DS
= 0
±
200 nA
I
DSS
V
DS
= 0.8 • v
DSS
T
J
= 25
°
C 400
µ
一个
V
GS
= 0 v T
J
= 125
°
C2mA
R
ds(在)
V
GS
= 10 v, i
D
= 0.5 • i
D25
44N50 0.12
Ω
48N50 0.10
Ω
脉冲波 测试, t
≤
300
µ
s, 职责 循环 d
≤
2 %
93001i (07/00)
D
S
G
S
g = 门 d = 流
s = 源 tab = 流
也 源 终端 在 minibloc 能 是 使用
作 主要的 或者 kelvin 源
S
G
S
D
S
G
D
至-264 aa
(ixfk)
minibloc, sot-227 b (ixfn)
E153432
(tab)
ixys reserves 这 正确的 至 改变 限制, 测试 情况, 和 维度.
: 点此下载
