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91510g (9/96 )
初步的 数据
标识 测试 情况 典型的值
(t
J
= 25
°
c, 除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
BV
CES
I
C
= 250
µ
一个, v
GE
= 0 v 600 V
V
ge(th)
I
C
= 250
µ
一个, v
CE
= v
GE
2.5 5 V
I
CES
V
CE
= 0.8 • v
CES
T
J
= 25
°
C 200
µ
一个
V
GE
= 0 v T
J
= 125
°
C1mA
I
GES
V
CE
= 0 v, v
GE
=
±
20 v
±
100 nA
V
ce(sat)
I
C
= i
C90
, v
GE
= 15 v 10N60 2.5 V
10N60A 3.0 V
特性
国际的 标准 包装
电子元件工业联合会 至-263 aa 表面
mountable 和 电子元件工业联合会 至-247 ad
2nd 一代 hdmos
TM
处理
低 v
ce(sat)
- 为 低 在-状态 传导 losses
高 电流 处理 能力
mos 门 转变-在
- 驱动 simplicity
产品
交流 发动机 速 控制
直流 伺服 和 robot 驱动
直流 choppers
uninterruptible 电源 供应 (ups)
转变-模式 和 resonant-模式
电源 供应
有利因素
空间 savings, 至-263 aa
facilitates automated 组装
减少 组装 时间 和 费用
容易 至 挂载 和 1 screw, 至-247
(分开的 挂载 screw 孔)
高 电源 密度
G
E
c (tab)
至-263 aa (ixga)
E
C
G
G
C
E
至-247 ad (ixgh)
g = 门, c = 集电级,
e = 发射级, tab = 集电级
c (tab)
低 v
ce(sat)
IGBT
高 速 igbt
至-220ab(ixgp)
ixga/ixgp/ixgh10n60
ixga/ixgp/ixgh10n60a
V
CES
I
C25
V
ce(sat)
600 v 20一个 2.5 v
600 v 20一个 3.0 v
标识 测试 情况 最大比率
V
CES
T
J
= 25
°
c 至 150
°
C 600 V
V
CGR
T
J
= 25
°
c 至 150
°
c; r
GE
= 1 m
Ω
600 V
V
GES
持续的
±
20 V
V
GEM
瞬时
±
30 V
I
C25
T
C
= 25
°
C20A
I
C90
T
C
= 90
°
C10A
I
CM
T
C
= 25
°
c, 1 ms 40 一个
SSOA
V
GE
= 15 v, t
VJ
= 125
°
c, r
G
= 150
Ω
I
CM
= 20 一个
(rbsoa)
clamped inductive 加载, l = 300
µ
H @ 0.8 v
CES
P
C
T
C
= 25
°
C 100 W
T
J
-55 ... +150
°
C
T
JM
150
°
C
T
stg
-55 ... +150
°
C
最大 含铅的 和 tab 温度 为 焊接 300
°
C
1.6 mm (0.062 在.) 从 情况 为 10 s
M
d
挂载 torque, 至-247 ad 1.13/10 nm/lb.在.
重量
至-263 aa 2 g
至-247 ad 6 g
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