ixys 公司
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ixys 半导体
edisonstr. 15, d-68623 lampertheim, 德国
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I
xys reserves 这 正确的 至 改变 限制, 测试 情况, 和 维度.
标识 测试 情况 最大比率
V
DSS
T
J
= 25
°
c 至 150
°
C 800 V
V
DGR
T
J
= 25
°
c 至 150
°
c; r
GS
= 1 m
Ω
800 V
V
GS
持续的
±
20 V
V
GSM
瞬时
±
30 V
I
D25
T
C
= 25
°
C6A
I
DM
T
C
= 25
°
c, 脉冲波 宽度 限制 用 t
JM
24 一个
P
D
T
C
= 25
°
C 180 W
T
J
-55 ... +150
°
C
T
JM
150
°
C
T
stg
-55 ... +150
°
C
M
d
挂载 torque 1.13/10 nm/lb.在.
重量
至-204 = 18 g, 至-247 = 6 g
最大 含铅的 温度 为 焊接 300
°
C
1.6 mm (0.062 在.) 从 情况 为 10 s
至-247 ad (ixth)
标准
电源 场效应晶体管
n-频道 增强 模式
至-204 aa (ixtm)
V
DSS
I
D25
R
ds(在)
ixth/ixtm 6 n80 800 v 6 一个 1.8
Ω Ω
Ω Ω
Ω
ixth/ixtm 6 n80a 800 v 6 一个 1.4
ΩΩ
ΩΩ
Ω
g = 门, d = 流,
s = 源, tab = 流
G
标识 测试 情况 典型的值
(t
J
= 25
°
c, 除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
V
DSS
V
GS
= 0 v, i
D
= 3 毫安 800 V
V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250
µ
一个 2 4.5 V
I
GSS
V
GS
=
±
20 v
直流
, v
DS
= 0
±
100 nA
I
DSS
V
DS
= 0.8 • v
DSS
T
J
= 25
°
C 250
µ
一个
V
GS
= 0 v T
J
= 125
°
C1mA
R
ds(在)
V
GS
= 10 v, i
D
= 0.5 i
D25
6N80 1.8
Ω
6N80A 1.4
Ω
脉冲波 测试, t
≤
300
µ
s, 职责 循环 d
≤
2 %
特性
●
国际的 标准 包装
●
低 r
ds (在)
HDMOS
TM
处理
●
坚毅的 polysilicon 门 cell 结构
●
低 包装 电感 (< 5 nh)
- 容易 至 驱动 和 至 保护
●
快 切换 时间
产品
●
转变-模式 和 resonant-模式
电源 供应
●
发动机 控制
●
uninterruptible 电源 供应 (ups)
●
直流 choppers
有利因素
●
容易 至 挂载 和 1 screw (至-247)
(分开的 挂载 screw 孔)
●
空间 savings
●
高 电源 密度
91542e(5/96)
d (tab)
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