ixys reserves 这 正确的 至 改变 限制, 测试 情况, 和 维度.
ixys mosfets 和 igbts 是 covered 用 一个 或者 更多 的 这 下列的 u.s. 专利权: 4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728b1
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
标识 测试 情况 典型的 值
(t
J
= 25
°
c, 除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
g
fs
V
DS
= 10 v; i
D
= 0.5 • i
D25
, 脉冲波 测试 18 28 S
C
iss
5680 pF
C
oss
V
GS
= 0 v, v
DS
= 25 v, f = 1 mhz 635 pF
C
rss
240 pF
t
d(在)
35 ns
t
r
V
GS
= 10 v, v
DS
= 0.5 • v
DSS
, i
D
= 0.5 i
D25
42 ns
t
d(止)
R
G
= 1
Ω,
(外部) 110 ns
t
f
26 ns
Q
g(在)
227 nC
Q
gs
V
GS
= 10 v, v
DS
= 0.5 • v
DSS
, i
D
= 0.5 i
D25
29 nC
Q
gd
110 nC
R
thJC
0.35 k/w
R
thCK
0.15 k/w
源-流 二极管 典型的 值
(t
J
= 25
°
c, 除非 否则 指定)
标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值
I
S
V
GS
= 0 v 30 一个
I
SM
repetitive; 脉冲波 宽度 限制 用 t
JM
120 一个
V
SD
I
F
= i
S
, v
GS
= 0 v, 1.5 V
脉冲波 测试, t
≤
300
µ
s, 职责 循环 d
≤
2 %
t
rr
I
F
= i
S
, -di/dt = 100 一个/
µ
s, v
R
= 100 v 850 ns
维度 Millimeter 英寸
最小值 最大值 最小值 最大值
一个 4.7 5.3 .185 .209
一个
1
2.2 2.54 .087 .102
一个
2
2.2 2.6 .059 .098
b 1.0 1.4 .040 .055
b
1
1.65 2.13 .065 .084
b
2
2.87 3.12 .113 .123
C .4 .8 .016 .031
D 20.80 21.46 .819 .845
E 15.75 16.26 .610 .640
e 5.20 5.72 0.205 0.225
L 19.81 20.32 .780 .800
L1 4.50 .177
∅
P 3.55 3.65 .140 .144
Q 5.89 6.40 0.232 0.252
R 4.32 5.49 .170 .216
S 6.15 BSC 242 BSC
至-247 ad 外形
terminals: 1 - 门 2 -流
3 - 源 tab - 流
1 2 3
ixth 30n50
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