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资料编号:420599
 
资料名称:2SJ527S
 
文件大小: 54.17K
   
说明
 
介绍:
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching
 
 


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2sj527(l),2sj527(s)
2
绝对 最大 比率
(ta = 25
°
c)
Item 标识 比率 单位
流 至 源 电压 V
DSS
–60 V
门 至 源 电压 V
GSS
±
20 V
流 电流 I
D
–5 一个
流 顶峰 电流 I
d(脉冲波)
Note1
–20 一个
身体-流 二极管 反转 流 电流 I
DR
–5 一个
avalenche 电流 I
AP
Note3
–5 一个
avalenche 活力 E
AR
Note3
2.1 mJ
频道 消耗 Pch
Note2
20 W
频道 温度 Tch 150
°
C
存储 温度 Tstg –55 至 +150
°
C
便条: 1. PW
10
µ
s, 职责 循环
1 %
2. 值 在 tc = 25
°
C
3. 值 在 tch = 25
°
c, rg
50
电的 特性
(ta = 25
°
c)
Item 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
流 至 源 损坏 电压 V
(br)dss
–60 V I
D
= –10ma, v
GS
= 0
门 至 源 损坏 电压 V
(br)gss
±
20——V I
G
=
±
100
µ
一个, v
DS
= 0
零 门 voltege 流 电流 I
DSS
–10
µ
AV
DS
= –60 v, v
GS
= 0
门 至 源 leak 电流 I
GSS
——
±
10
µ
AV
GS
=
±
16v, v
DS
= 0
门 至 源 截止 电压 V
gs(止)
–1.0 –2.0 V I
D
= –1ma, v
DS
= –10v
静态的 流 至 源 在 状态 R
ds(在)
0.3 0.4
I
D
= –3a, v
GS
= –10v
Note4
阻抗 R
ds(在)
0.5 0.8
I
D
= –3a, v
GS
= –4v
Note4
向前 转移 admittance |y
fs
| 1.8 3 S I
D
= –3a, v
DS
= –10v
Note4
输入 电容 Ciss 220 pF V
DS
= –10v
输出 电容 Coss 110 pF V
GS
= 0
反转 转移 电容 Crss 35 pF f = 1mhz
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
10 ns V
GS
= –10v, i
D
= –3a
上升 时间 t
r
30 ns R
L
= 10
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
—45—ns
下降 时间 t
f
—35—ns
body–drain 二极管 向前 电压 V
DF
–1.35 V I
F
= –5a, v
GS
= 0
body–drain 二极管 反转
恢复 时间
t
rr
55 ns I
F
= –5a, v
GS
= 0
dif/ dt = 50a/
µ
s
便条: 4. 脉冲波 测试
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