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资料编号:420599
 
资料名称:2SJ527S
 
文件大小: 54.17K
   
说明
 
介绍:
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2sj527(l),2sj527(s)
3
主要的 特性
40
30
20
10
0
50 100 150 200
–0.1 –0.3 –1 –3 –10 –30 –100
–100
–20
–10
–2
–1
–0.2
–0.1
0
–2 –4 –6 –8 –10
–5
–4
–3
–2
–1
0
–1 –2 –3 –4 –5
1 ms
ta = 25
°
C
100
µ
s
频道 消耗 pch (w)
情况 温度 tc (
°
c)
电源 vs. 温度 减额
流 至 源 电压 v (v)
DS
流 电流 i (一个)
D
最大 safe 运作 范围
流 至 源 电压 v (v)
DS
流 电流 i (一个)
D
典型 输出 特性
门 至 源 电压 v (v)
GS
流 电流 i (一个)
D
典型 转移 特性
运作 在
这个 范围 是
限制 用 r
ds(在)
10
µ
s
–10 v
v = –2.5 v
GS
–4 v
–3 v
–3.5 v
脉冲波 测试
tc = 75
°
C
25
°
C
–25
°
C
v = –10 v
脉冲波 测试
DS
–0.5
–5
–50
直流 运作
(tc=25
°
c)
pw = 10 ms (1 shot)
–6 v
–8 v
–5
–4
–3
–2
–1
–5 v
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