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资料编号:420599
 
资料名称:2SJ527S
 
文件大小: 54.17K
   
说明
 
介绍:
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching
 
 


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2sj527(l),2sj527(s)
5
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0 –10 –20 –30 –40 –50
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4 8 12 16 20
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2
10
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V
GS
V
DS
反转 流 电流 i (一个)
DR
反转 恢复 时间 trr (ns)
body–drain 二极管 反转
恢复 时间
电容 c (pf)
流 至 源 电压 v (v)
DS
典型 电容 vs.
流 至 源 电压
门 承担 qg (nc)
流 至 源 电压 v (v)
DS
门 至 源 电压 v (v)
GS
动态 输入 特性
流 电流 i (一个)
D
切换 时间 t (ns)
切换 特性
di / dt = 50 一个 / µs
v = 0, ta = 25 °c
GS
500
2
1
5
Ciss
Coss
Crss
v = 0
f = 1 mhz
GS
v = –50 v
–25 v
–10 v
DD
v = –10 v
–25 v
–50 v
DD
i = –5 一个
D
v = –10 v, v = 30 v
职责 < 1 %
GS
DD
t
f
r
t
d(在)
t
d(止)
t
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