关于我们
收藏本站
首页
|
最新需求
|
最新现货
|
IC库存
|
供应商
|
IC英文资料库
|
IC中文资料库
|
IC价格
|
电路图 |
应用资料
|
技术资料
IC型号:
您现在的位置:首页 > IC英文资料库
进入
手机版
资料编号:420630
资料名称:
2SJ526
文件大小: 51.63K
说明
:
介绍
:
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2SJ526
3
主要的 特性
40
30
20
10
0
50
100
150
200
–100
–30
–10
–3
–1
–0.3
–0.1
–0.1
–0.3
–1
–3
–10
–10
–8
–6
–4
–2
0
–2
–4
–6
–8
–10
–5 v
–4 v
0
–1–2–3–4–5
–30
–100
–1000
–300
–10 v
–3.5 v
–3 v
–10
–8
–6
–4
–2
–2.5 v
–25
°
C
25
°
ctc = 75
°
C
v = –2 v
GS
100
µ
s
直流 运作
1 ms
pw = 10 ms
(1 shot)
ta = 25
°
C
10
µ
s
脉冲波 测试
DS
脉冲波 测试
v = –10 v
频道 消耗 pch (w)
电源 vs. 温度 减额
流 至 源 电压 v (v)
DS
流 电流 i (一个)
D
最大 safe 运作 范围
流 至 源 电压 v (v)
DS
流 电流 i (一个)
D
典型 输出 特性
门 至 源 电压 v (v)
GS
典型 转移 特性
运作 在
这个 范围 是
限制 用 r
ds(在)
流 电流 i (一个)
D
情况 温度 tc (
°
c)
资料评论区
:
点击
回复
标题
作者
最后回复时间
标 题:
内 容:
用户名:
手机号:
(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
关于我们
|
联系我们
电 话
:
13410210660
QQ :
84325569
联系方式:
E-mail:CaiZH01@163.com