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资料编号:420784
 
资料名称:2SJ550S
 
文件大小: 56.87K
   
说明
 
介绍:
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching
 
 


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2sj550(l),2sj550(s)
4
–4.0
–3.2
–2.4
–1.6
–0.8
0
–4 –8
–12
–16 –20
i = –15 一个
D
–10 一个
–5 一个
–0.1 –1 –10 –100
–0.3
–3 –30
10
1
0.01
0.40
0.32
0.24
0.16
0.08
–40 0 40 80 120 160
0
0.1
0.03
0.3
3
v = –4 v
GS
–10 v
–5, –10, –15 一个
v = –4 v
GS
–10 v
i = –15 一个
D
–10 一个 –5 一个
–0.1 –1 –10 –100
–0.3
–3 –30
100
10
0.1
1
0.3
3
30
25 °c
tc = –25 °c
75 °c
v = –10 v
DS
门 至 源 电压 v (v)
GS
流 至 源 饱和 电压 vs.
门 至 源 电压
v (v)
ds(在)
流 至 源 饱和 电压
流 电流 i (一个)
D
流 至 源 在 状态 阻抗
r ( )
ds(在)
静态的 流 至 源 在 状态 阻抗
vs. 流 电流
情况 温度 tc (°c)
r ( )
ds(在)
静态的 流 至 源 在 状态 阻抗
静态的 流 至 源 在 状态 阻抗
vs. 温度
流 电流 i (一个)
D
向前 转移 admittance |y | (s)
fs
向前 转移 admittance vs.
流 电流
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