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资料编号:421732
 
资料名称:2SJ606-ZJ
 
文件大小: 78.79K
   
说明
 
介绍:
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
数据 薄板 d14654ej3v0ds
4
2SJ606
向前 转移 特性
V
GS
- 门 至 源 电压 - v
I
D
- 流 电流 - 一个
1
2
3
4
5
V
DS
=
10 v
搏动
100
10
1
1000
0.1
T
一个
=
55
˚
C
25
˚
C
75
˚
C
150
˚
C
流 电流 vs.
流 至 源 电压
V
DS
- 流 至 源 电压 - v
I
D
- 流 电流 - 一个
0
2
3
4
250
200
150
100
50
0
1
搏动
5
4.0 v
V
GS
=
10 v
向前 转移 admittance vs.
流 电流
I
D
- 流 电流 - 一个
| y
fs
| - 向前 转移 admittance - s
0.01
0.1
1
100
1000
10
100
1
10
搏动
V
DS
=
10 v
0.1
T
一个
= 150
˚
C
75
˚
C
25
˚
C
55
˚
C
流 至 源 在-状态 阻抗 vs.
门 至 源 电压
V
GS
- 门 至 源 电压 - v
R
ds(在)
- 流 至 源 在-状态 阻抗 - m
0
5
10
15
20
搏动
25
20
15
10
5
0
I
D
=
83 一个
42 一个
17 一个
流 至 源 在-状态
阻抗 vs. 流 电流
I
D
- 流 电流 - 一个
R
ds(在)
- 流 至 源 在-状态 阻抗 - m
10
1
50
40
30
20
10
0
100
1000
搏动
V
GS
=
4.0 v
4.5 v
10 v
门 截-止 电压 vs.
频道 温度
T
ch
- 频道 温度 -
˚
C
V
gs(止)
- 门 截-止 电压 - v
V
DS
=
10 v
I
D
=
1 毫安
1.0
2.0
3.0
50 0 50 100
0
150
4.0
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