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资料编号:421732
 
资料名称:2SJ606-ZJ
 
文件大小: 78.79K
   
说明
 
介绍:
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
数据 薄板 d14654ej3v0ds
5
2SJ606
流 至 源 在-状态 阻抗 vs.
频道 温度
T
ch
- 频道 温度 -
˚
C
R
ds(在)
- 流 至 源 在-状态 阻抗 - m
50
0
50
100 150
I
D
=
42 一个
30
20
10
0
搏动
10 v
V
GS
=
4.0 v
4.5 v
源 至 流 二极管
向前 电压
1.0
I
SD
- 二极管 向前 电流 - 一个
0
1.5
V
SD
- 源 至 流 电压 - v
0.5
搏动
0.1
1
10
100
1000
2.0
4.0 v
V
GS
=
10 v
0 v
电容 vs. 流 至
源 电压
V
DS
- 流 至 源 电压 - v
C
iss
, c
oss
, c
rss
- 电容 - pf
100
1000
10000
100000
0.1
1
10
V
GS
= 0 v
f = 1 mhz
C
rss
C
iss
100
C
oss
切换 特性
I
D
- 流 电流 - 一个
t
d(在)
, t
r
, t
d(止)
, t
f
- 切换 时间 - ns
10
1
1
0.1
100
1000
10
100
t
f
t
r
t
d(在)
t
d(止)
V
DD
=
30 v
V
GS
=
10 v
R
G
= 0
动态 输入/输出 特性
V
GS
- 门 至 源 电压 - v
Q
G
- 门 承担 - nc
V
DS
- 流 至 源 电压 - v
0406020 80 100 120 140
60
50
40
30
20
10
0
V
DS
V
GS
V
DD
=
48 v
30 v
12 v
I
D
=
83 一个
12
10
8
6
4
2
0
单独的 avalanche 电流 vs.
inductive 加载
l - inductive 加载 - h
I
- 单独的 avalanche 电流 - 一个
10
100
1000
1 m 10 m
V
DD
=
30 v
R
G
= 25
V
GS
=
20
0 v
I
=
40 一个
10
µ
100
µ
1
E
= 160 mj
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