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三-阶段 电源
场效应晶体管 控制
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电的 规格 在 t
一个
= 25
°
c, v
BB
= v
CCOUT
= 12 v, c
加载
= 1000 pf, c
激励
= 0.047
µ
F
(除非 指出 否则).
限制
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
供应 电流
安静的 电流 I
BB
重置 低, f
PWM
= 40 khz – 16 19 毫安
重置 高 – 15 17 毫安
涉及 电压 V
LCAP
4.75 5.0 5.25 V
ref. volt. 加载 规章制度
∆
V
lcap(
∆
ilcap)
I
LCAP
= 0 至 -2 毫安 – 10 25 mV
输出 电压 V
CCOUT
V
BB
= 28 v 10.8 12 13.2 V
输出 电压 规章制度
∆
V
ccout(
∆
iccout)
V
BB
= 28 v, i
CCOUT
= 0 至 -10 毫安 – – 25 mV
数字的 逻辑 水平
逻辑 输入 电压 V
IH
2.0 – – V
V
IL
––0.8V
逻辑 输入 电流 I
IH
V
IH
= 2 v – <1.0 10
µ
一个
I
IL
V
IL
= 0.8 v -70 – -130
µ
一个
门 驱动
低-一侧 输出 电压 V
GLxH
9.5 10.5 11.5 V
V
GLxL
I
GLx
= 1 毫安 – – 0.30 V
高-一侧 输出 电压 V
GHxH
9.0 10.5 11.5 V
V
GHxL
I
GHx
= 1 毫安 – – 0.25 V
低-一侧 输出 t
rGLx
1 v 至 8 v – 50 – ns
切换 时间
t
fGLx
8 v 至 1 v – 40 – ns
高-一侧 输出 t
rGHx
1 v 至 8 v – 100 – ns
切换 时间
t
fGHx
8 v 至 1 v – 100 – ns
dead 时间 t
DEAD
I
DEAD
= 10
µ
一个 – 3000 – ns
(源 止 至 下沉 在)
I
DEAD
= 215
µ
一个 – 180 – ns
持续 —
注释: 1. 典型 数据 是 为 设计 信息 仅有的.
2. 负的 电流 是 定义 作 coming 输出 的 (sourcing) 这 指定 设备 终端.
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