x28c512/x28c513
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系统 仔细考虑
因为 这 x28c512/513 是 frequently 使用 在 大
记忆 arrays 它 是 提供 和 一个 二 线条 控制
architecture 为 两个都 读 和 写 行动. 恰当的
用法 能 提供 这 最低 可能 电源 消耗
和 eliminate 这 possibility 的 contention 在哪里 mul-
tiple i/o 管脚 share 这 一样 总线.
至 增益 这 大多数 益处 它 是 推荐 那
CE
是
解码 从 这 地址 总线 和 是 使用 作 这
primary 设备 选择 输入. 两个都
OE
和
我们
将
然后 是 一般 among 所有 设备 在 这 排列. 为 一个
读 运作 这个 assures 那 所有 deselected 设备
是 在 它们的 备用物品 模式 和 那 仅有的 这 选择
设备 是 outputting 数据 在 这 总线.
因为 这 x28c512/513 有 二 电源 模式,
备用物品 和 起作用的, 恰当的 解耦 的 这 记忆
排列 是 的 首要的 concern. enabling
CE
将 导致
瞬时 电流 尖刺. 这 巨大 的 这些 尖刺
是 依赖 在 这 输出 电容的 加载 的 这 i/
os. 因此, 这 大 这 排列 分享 一个 一般
总线, 这 大 这 瞬时 尖刺. 这 电压 顶峰
有关联的 和 这 电流 过往旅客 能 是 sup-
pressed 用 这 恰当的 选择 和 placement 的
解耦 电容. 作 一个 最小, 它 是 recom-
mended 那 一个 0.1
µ
f 高 频率 陶瓷的 电容
是 使用 在 v
CC
和 v
SS
在 各自 设备. 取决于-
ing 在 这 大小 的 这 排列, 这 值 的 这 电容
将 有 至 是 大.
在 增加, 它 是 推荐 那 一个 4.7
µ
f electrolytic
大(量) 电容 是 放置 在 v
CC
和 v
SS
为 各自
第八 设备 运用 在 这 排列. 这个 大(量) 电容
是 运用 至 克服 这 电压 droop 造成 用
这 inductive 影响 的 这 pc 板 查出.
起作用的 供应 电流 vs. 包围的 温度 I
CC
(rd) 用 温度 在 频率
备用物品 供应 电流 vs. 包围的 温度
–55
–10 +125
0.14
0.16
0.18
0.2
0.24
包围的 温度 (
°
c)
I
SB
(毫安)
3856 ill f26
0.1
+35 +80
0.22
V
CC
= 5v
0.12
–55
–10 +125
10
11
12
13
14
包围的 温度 (
°
c)
I
CC
(毫安)
3856 ill f24
8
+35 +80
V
CC
= 5v
9
0
315
30
40
50
60
5.0 v
CC
频率 (mhz)
I
CC
rd (毫安)
3856 ill f25
10
69
–55°C
+25°C
+125°C
12
20
70
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