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资料编号:430437
 
资料名称:APT60GT60JRD
 
文件大小: 75.62K
   
说明
 
介绍:
The Thunderbolt IGBT⑩ is a new generation of high voltage power IGBTs.
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
G
C
E
052-6260 rev b
APT60GT60JRD
600V 90A
这 thunderbolt igbt
是 一个 新 一代 的 高 电压 电源 igbts.
使用 非-punch 通过 技术 这 thunderbolt igbt™ 联合的
和 一个 apt 自由-转动 ultrafast 恢复 外延的 二极管 (fred) 提供
更好的 强壮 和 ultrafast 切换 速.
低 向前 电压 漏出 高 freq. 切换 至 150khz
低 tail 电流 过激 低 泄漏 电流
ultrafast 软 恢复 rbsoa 和 scsoa 评估
antiparallel 二极管
thunderbolt igbt
&放大; fred
sot-227
G
E
E
C
ISOTOP
®
"ul 公认的"
提醒:
这些 设备 是 敏感的 至 静电的 释放. 恰当的 处理 程序 应当 是 followed.
USA
405 s.w. columbia 街道 bend, oregon 97702-1035 phone: (541)382-8028 传真: (541)388-0364
欧洲
avenue j.f. kennedy bât b4 parc cadéra nord f-33700 merignac - 法国 phone: (33) 5 57 92 15 15 传真: (33) 5 56 47 97 61
apt 网站 - http://www.advancedpower.com
初步的
APT60GF60JRD
600
600
±
20
90
60
180
120
375
-55 至 150
300
最大 比率 (igbt)
所有 比率: t
C
= 25
°
c 除非 否则 指定.
最小值 典型值 最大值
600
345
1.6 2.0 2.5
2.8
0.3
3.0
±
100
典型的 / 测试 情况
集电级-发射级 损坏 电压 (v
GE
= 0v, i
C
= 0.5ma)
门 门槛 电压 (v
CE
= v
GE
= 700
µ
一个, t
j
= 25
°
c)
集电级-发射级 在 电压 (v
GE
= 15v, i
C
= i
C2
, t
j
= 25
°
c)
集电级-发射级 在 电压 (v
GE
= 15v, i
C
= i
C2
, t
j
= 150
°
c)
集电级 截-止 电流 (v
CE
= v
CES
, v
GE
= 0v, t
j
= 25
°
c)
集电级 截-止 电流 (v
CE
= v
CES
, v
GE
= 0v, t
j
= 125
°
c)
门-发射级 泄漏 电流 (v
GE
=
±
20v, v
CE
= 0v)
标识
BV
CES
V
GE
(th)
V
CE
(在)
I
CES
I
GES
静态的 电的 特性 (igbt)
单位
伏特
毫安
nA
标识
V
CES
V
CGR
V
GE
I
C1
I
C2
I
CM1
I
平方厘米
P
D
T
J
,t
STG
T
L
参数
集电级-发射级 电压
集电级-门 电压 (r
GE
= 20k
)
门-发射级 电压
持续的 集电级 电流 @ t
C
= 25
°
C
持续的 集电级 电流 @ t
C
= 110
°
C
搏动 集电级 电流
1
@ t
C
= 25
°
C
搏动 集电级 电流
1
@ t
C
= 110
°
C
总的 电源 消耗
运行 和 存储 接合面 温度 范围
最大值 含铅的 温度 为 焊接: 0.063" 从 情况 为 10 秒.
单位
伏特
放大器
Watts
°
C
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