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资料编号:433238
 
资料名称:K3296
 
文件大小: 422.24K
   
说明
 
介绍:
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
 
 


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数据 薄板 d14063ej2v0ds
2
2SK3296
电的 特性(t
一个
= 25°c)
特性 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
流 泄漏 电流 I
DSS
V
DS
= 20 v, v
GS
= 0 v 10
µ
一个
门 泄漏 电流 I
GSS
V
GS
=
±
20 v, v
DS
= 0 v
±
10
µ
一个
门 截-止 电压 V
gs(止)
V
DS
= 10 v, i
D
= 1 毫安 1.0 2.5 V
向前 转移 admittance | y
fs
|V
DS
= 10 v, i
D
= 18 一个 9.0 S
流 至 源 在-状态 阻抗 R
ds(在)1
V
GS
= 10 v, i
D
= 18 一个 8.5 12
m
R
ds(在)2
V
GS
= 4.5 v, i
D
= 18 一个 12 19
m
输入 电容 C
iss
V
DS
= 10 v 1300 pF
输出 电容 C
oss
V
GS
= 0 v 570 pF
反转 转移 电容 C
rss
f = 1 mhz 300 pF
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
V
DD
= 10 v , i
D
= 18 一个 70 ns
上升 时间 t
r
V
gs(在)
= 10 v 1220 ns
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
R
G
= 10
100 ns
下降 时间 t
f
180 ns
总的 门 承担 Q
G
V
DD
= 16 v 30 nC
门 至 源 承担 Q
GS
V
GS
= 10 v 4.5 nC
门 至 流 承担 Q
GD
I
D
= 35 一个 8.0 nC
二极管 向前 电压 V
f(s-d)
I
F
= 35 一个, v
GS
= 0 v 1.0 V
反转 恢复 时间 t
rr
I
F
= 35 一个, v
GS
= 0 v 35 ns
反转 恢复 承担 Q
rr
di/dt = 100 一个/
µ
s
23 nC
测试 电路 2 门 承担
测试 电路 1 切换 时间
pg.
R
G
0
V
GS
d.u.t.
R
L
V
DD
τ
= 1 s
µ
职责 循环
1%
V
GS
波 表格
I
D
波 表格
V
GS
10%
90%
V
GS
(在)
10%
0
I
D
90%
90%
t
d(在)
t
r
t
d(止)
t
f
10%
τ
I
D
0
t
t
pg.
50
d.u.t.
R
L
V
DD
I
G
= 2 毫安
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