256m gddr sdram
k4d551638d-tc
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rev 1.8 (oct. 2003)
这 k4d551638d 是 268,435,456 位 的 hyper 同步的 dat一个 比率 动态 内存 有组织的 作 4 x 4,194,304 words 用
16 位, fabricated 和 samsung
’
s 高 效能 cmos 技术. 同步hronous 特性 和 数据 strobe 准许
极其 高 效能 向上 至 1.4gb/s/碎片. i/o transactions 是 可能 在两个都 edges 的 这 时钟 循环. 范围 的
运行 发生率, 可编程序的 burst 长度 和 programmable latencies 准许 这 设备 至 是 有用的 为 一个 多样性
的 高 效能 memory 系统 产品.
一般 描述
特性
为 4m x 16bit x 4 bank ddr sdram
4m x 16bit x 4banks graphic 翻倍 数据比率 同步的 dram
和 bi-directional data strobe 和 dll
订货 信息
1. 为 这 k4d551638d-tc2a, vdd &放大; vddq = 2.8v+0.1v
2. 为 这 k4d551638d-tc60,vdd &放大; vddq = 2.5v+
5%.
3. k4d551638d-lc 是 这 含铅的自由 包装 部分 号码
部分 非. 最大值 freq. 最大值 数据 比率 接口 包装
k4d551638d-tc2a* 350MHz 700mbps/管脚
sstl_2 66pin tsop-ii
k4d551638d-tc33 300MHz 600mbps/管脚
k4d551638d-tc36 275MHz 550mbps/管脚
k4d551638d-tc40 250MHz 500mbps/管脚
k4d551638d-tc45 222MHz 444mbps/管脚
k4d551638d-tc50 200MHz 400mbps/管脚
k4d551638d-tc60* 166MHz 333mbps/管脚
• 2.6v +0.1v 电源 供应 为 设备 运作
• 2.6v +0.1v 电源 供应 为 i/o 接口
• sstl_2 兼容 输入/输出
• 4 banks 运作
• mrs 循环 和 地址 关键 programs
-. 读 latency 3, 4 (时钟)
-. burst长度 (2, 4 和 8)
-. burst 类型 (sequential &放大; interleave)
• 所有 输入 除了 数据 &放大; dm 是 抽样 在 这 积极的
going 边缘 的 这 系统 时钟
• 差别的 时钟 输入
• 非 wrtie-interrupted 用 读 函数
• 2 dqs’s ( 1dqs / 字节 )
• 数据 i/o transactions 在两个都 edges 的 数据 strobe
• dll aligns dq 和 dqs transitions 和 时钟 转变
• 边缘 排整齐 数据 &放大; 数据 strobe 输出
• 中心 排整齐 数据 &放大; 数据 strobe 输入
• dm 为 写 masking 仅有的
• 自动 &放大; 自 refresh
• 32ms refresh 时期 (4k 循环) 为 -tc2a/33/36/40/45
• 64ms refresh 时期(8k 循环) 为 -tc50/60
• 66pin tsop-ii
• 最大 时钟 频率 向上 至 350mhz
• 最大 数据 比率 向上 至 700mbps/管脚
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