cmos dramk4e661612c,k4e641612c
交流 特性
(持续)
参数 标识
-45 -50 -60
单位 便条
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
数据 支撑 时间
tDH
7 7 10 ns 9,19
refresh 时期 (正常的)
tREF
64 64 64 ms
refresh 时期 (l-ver)
tREF
128 128 128 ms
写 command 设置-向上 时间
tWCS
0 0 0 ns 7
CAS至W延迟 时间
tCWD
24 27 32 ns 7,15
RAS至W延迟 时间
tRWD
57 64 77 ns 7
column 地址 至W延迟 时间
tAWD
35 39 47 ns 7
CAS设置-向上 时间 (CAS-在之前-RASrefresh)
tCSR
5 5 5 ns 17
CAS支撑 时间 (CAS-在之前-RASrefresh)
tCHR
10 10 10 ns 18
RAS至CASprecharge 时间
tRPC
5 5 5 ns
进入 时间 从CASprecharge
tCPA
24 28 35 ns 3
hyper 页 循环 时间
tHPC
17 20 25 ns 21
hyper 页 读-modify-写 循环 时间
tHPRWC
47 47 56 ns 21
CASprecharge 时间 (hyper 页 循环)
tCP
6.5 7 10 ns 14
RAS脉冲波 宽度 (hyper 页 循环)
tRASP
45 200K 50 200K 60 200K ns
RAS支撑 时间 从CASprecharge
tRHCP
24 30 35 ns
OE进入 时间
tOEA
12 13 15 ns 3
OE至 数据 延迟
tOED
8 10 13 ns
CASprecharge 至W延迟 时间
tCPWD
36 41 52 ns
输出 缓存区 转变 止 延迟 时间 从OE
tOEZ
3 11 3 13 3 13 ns 6
OEcommand 支撑 时间
tOEH
5 5 5 ns
写 command 设置-向上 时间 (测试 模式 在)
tWTS
10 10 10 ns 11
写 command 支撑 时间 (测试 模式 在)
tWTH
10 10 10 ns 11
W至RASprecharge 时间 (c-b-r refresh)
tWRP
10 10 10 ns
W至RAS支撑 时间 (c-b-r refresh)
tWRH
10 10 10 ns
输出 数据 支撑 时间
tDOH
4 5 5 ns
输出 缓存区 转变 止 延迟 从RAS
tREZ
3 13 3 13 3 13 ns 6,20
输出 缓存区 转变 止 延迟 从W
tWEZ
3 13 3 13 3 13 ns 6
W至 数据 延迟
tWED
8 15 15 ns
OE至CAS支撑 时间
tOCH
5 5 5 ns
CAS支撑 时间 至OE
tCHO
5 5 5 ns
OEprecharge 时间
tOEP
5 5 5 ns
W脉冲波 宽度 (hyper 页 循环)
tWPE
5 5 5 ns
RAS脉冲波 宽度 (c-b-r 自 refresh)
tRASS
100 100 100 美国 22,23,24
RASprecharge 时间 (c-b-r 自 refresh)
tRPS
74 90 110 ns 22,23,24
CAS支撑 时间 (c-b-r 自 refresh)
tCHS
-50 -50 -50 ns 22,23,24
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