cmos dramk4e661612c,k4e641612c
tCWL是 指定 从W下落 边缘 至 这 早期CASrising 边缘.
tCSR是 关联 至 早期CAS下落 在之前RAS转变 低.
tCHR是 关联 至 这 后来的CASrising 高 之后RAS转变 低.
tDS是 指定 为 这 早期CAS下落 边缘 和tDH是 指定 用 这 后来的CAS下落 边缘 在 early 写 循环.
如果RAS变得 高 在之前CAS高 going, 这 打开 电路 情况 的 这 输出 是 达到 用CAS高 going.
tASC
≥
6ns, 假设 tT=2.0ns, 如果 tASC
≤
6ns, 然后 tHPC(最小值) 和 tCAS(最小值) 必须 是 增加 用 这 值 的 "6ns-tASC".
如果tRASS
≥
100us, 然后RASprecharge 时间 必须 使用tRPSinstead 的tRP.
为RAS-仅有的-refresh 和 burstCAS-在之前-RASrefresh 模式, 4096 循环(4k/8k) 的 burst refresh 必须 是 executed 在里面
64ms 在之前 和 之后 自 refresh, 在 顺序 至 满足 refresh 规格.
为 distributedCAS-在之前-RAS和 15.6us 间隔, cbr refresh 应当 是 executed 和 在 15.6us 立即 在之前 和
之后 自 refresh 在 顺序 至 满足 refresh 规格.
tCSR tCHR
RAS
LCAS
UCAS
tDS tDH
LCAS
UCAS
dq0 ~ dq15
Din
22.
21.
20.
19.
18.
17.
16.
23.
24.
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