mcp 记忆k5a3x40yt(b)c
修订 0.0
十一月 2002
- 2 -
初步的
multi-碎片 包装 记忆
32m 位 (4mx8/2mx16) 双 bank 也不 flash 记忆 / 4m(512kx8/256kx16) 全部 cmos sram
这 k5a3x40yt(b)c featuring 单独的 3.0v 电源 供应 是 一个
multi 碎片 包装 记忆 这个 结合 32mbit 双 bank
flash 和 4mbit fcmos sram.
这 32mbit flash 记忆 是 有组织的 作 4m x8 或者 2m x16 位
和 4mbit sram 是 有组织的 作 512k x8 或者 256k x16 位. 这
记忆 architecture 的 flash 记忆 是 设计 至 分隔 它的
记忆 arrays 在 71 blocks 和 这个 提供 高级地 有伸缩性的
擦掉 和 程序 能力. 这个 设备 是 有能力 的 读
数据 从 一个 bank 当 程序编制 或者 erasing 在 这 其它
bank 和 双 bank organization.
这 flash 记忆 执行 一个 程序 运作 在 单位 的 8 位
(字节) 或者 16 位 (文字) 和 erases 在 单位 的 一个 块. 单独的 或者
多样的 blocks 能 是 erased. 这 块 擦掉 运作 是 com-
pleted 为 典型地 0.7sec.
这 4mbit sram 支持 低 数据 保持 电压 为 电池
backup 运作 和 低 数据 保持 电流.
这 k5a3x40yt(b)c 是 合适的 为 这 记忆 的 mobile com-
munication 系统 至 减少 挂载 范围. 这个 设备 是 有
在 69-球 tbga 类型 包装.
特性
•
电源 供应 电压 : 2.7v 至 3.3v
•
Organization
- flash : 4,194,304 x 8 / 2,097,152 x 16 位
- sram : 524,288 x 8 / 262,144 x 16 位
•
进入 时间 (@2.7v)
- flash : 70 ns, sram : 55 ns
•
电源 消耗量 (典型 值)
- flash 读 电流 : 14 毫安 (@5mhz)
程序/擦掉 电流 : 15 毫安
备用物品 模式/autosleep 模式 : 5
µ
一个
读 当 程序 或者 读 当 擦掉 : 25 毫安
- sram 运行 电流 : 20 毫安
备用物品 电流 : 0.5
µ
一个
•
secode(安全 代号) 块 : extra 64kb 块 (flash)
•
块 组 保护 / unprotection (flash)
•
flash bank 大小 : 8mb / 24mb , 16mb / 16mb
•
flash 忍耐力 : 100,000 程序/擦掉 循环 最小
•
sram 数据 保持 : 1.5 v (最小值.)
•
工业的 温度 : -40
°
c ~ 85
°
C
•
包装 : 69-球 tbga 类型 - 8 x 11mm, 0.8 mm 程度
1.2mm(最大值.) 厚度
一般 描述
samsung electronics co., 有限公司.
reserves 这 正确的 至 改变 产品 和 规格 没有 注意.
球 配置
球 描述
球 名字 描述
一个0至 一个17 地址 输入 balls (一般)
一个-1, 一个18至 一个20 地址 输入 balls (flash 记忆)
DQ0至 dq15 数据 输入/输出 balls (一般)
重置 硬件 重置 (flash 记忆)
WP/acc
写 保护 / acceleration 程序
(flash 记忆)
Vcc
S
电源 供应 (sram)
Vcc
F
电源 供应 (flash 记忆)
Vss 地面 (一般)
UB upper 字节 使能 (sram)
LB 更小的 字节 使能 (sram)
字节
S
字节
S
控制 (sram)
字节
F
字节
F
控制 (flash 记忆)
SA 地址 输入 (sram)
CE
F
碎片 使能 (flash 记忆)
CS1
S
碎片 使能 (sram 低 起作用的)
CS2
S
碎片 使能 (sram 高 起作用的)
我们 写 使能 (一般)
OE 输出 使能 (一般)
ry/用 准备好/busy (flash 记忆)
n.c 非 连接
顶 视图 (球 向下)
一个
7
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B
一个
8
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3
一个
6
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9
1
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K
J
69 球 tbga , 0.8mm 程度
一个
C
C
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